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徐力

作品数:15 被引量:17H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 14篇晶体
  • 6篇闪烁晶体
  • 5篇晶体生长
  • 4篇钨酸
  • 4篇钨酸铅
  • 3篇钨酸铅晶体
  • 3篇辐照损伤
  • 3篇氟化
  • 3篇掺杂
  • 2篇对撞
  • 2篇对撞机
  • 2篇杂质对
  • 2篇锗酸铋
  • 2篇锗酸铋晶体
  • 2篇坩埚
  • 2篇下降法
  • 2篇发光
  • 2篇BI
  • 2篇BRIDGM...
  • 2篇大尺寸

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇徐力
  • 14篇胡关钦
  • 10篇殷之文
  • 6篇张明荣
  • 6篇李培俊
  • 3篇冯锡淇
  • 2篇肖海斌
  • 2篇潘志雷
  • 2篇赵元龙
  • 1篇李贇
  • 1篇华素坤
  • 1篇刘先才
  • 1篇王绍华

传媒

  • 6篇人工晶体学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇上海硅酸盐
  • 1篇上海先进无机...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1992
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氟化铈晶体抗辐照机理的探讨
1997年
比较研究了氟化铈晶体、CeO2、草酸铈CeAc3粉末中Ce离子外层3d电子的X射线光电子能谱,给出了三种样品的X射线光电子光谱参数.CeF3中的Ce离子可能是混合价态,用电荷自补偿观点解释CeF3晶体抗辐照机理.
胡关钦冯锡淇徐力殷之文
关键词:晶体光电子能谱辐照损伤
La在La:PWO闪烁晶体中的作用机制探讨被引量:2
1997年
根据掺La的PWO晶体(LaPWO晶体)的透射光谱和发射光谱随La浓度的变化特性及其电子顺磁共振(EPR)谱,作者认为,掺La使晶体产生了新的以(LaPb)2/3(VPb)1/3WO4为主的缺陷,LaPWO晶体的透光性能的改善主要是由于Pb空位(VPb)″的增加.而发光性能的降低则主要是(LaPb)和(VPb)″的共同作用.
张明荣胡关钦李培俊徐力殷之文
关键词:钨酸铅晶体点缺陷闪烁晶体镧掺杂PWO
下降法生长Bi_4Ge_3O_(12)大尺寸单晶中散射芯的形成和消除
2002年
本文报道了以Bi2 O3 和GeO2 粉末为原料 ,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象。借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究 ,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成。分析了散射芯产生的原因 。
肖海斌胡关钦王绍华徐力
关键词:下降法BRIDGMAN法晶体生长
220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术
本发明涉及晶体生长技术,尤其是大批量生长220毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术,属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<...
胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
文献传递
杂质对锗酸铋晶体光学质量的影响
1992年
杂质引起的各种缺陷,对锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12)简称BGO 晶体的光学质量产生严重影响。本工作利用透过光谱比较、光学显微术、扫描电子显微镜、电子探针分析等手段研究了这些缺陷的形貌和形成机理,也讨论了改善晶体光学质量的方法。
徐力潘志雷胡关钦冯锡淇
关键词:锗酸铋晶体
大尺寸氟化铈晶体的生长技术
本发明涉及晶体生长技术,尤其是大批量生长大尺寸优质氟化铈晶体的技术,属晶体生长领域。;本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<Sub>3<...
胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
文献传递
生长温度梯度对Bi_4Ge_3O_(12)晶体辐照损伤的影响
2003年
研究了两类不同条件下生长的Bi_4Ge_3O_(12)晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辨率也明显变差(改变5%以上).而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辨率基本不变.从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因.
肖海斌胡关钦徐力
关键词:温度梯度辐照损伤
杂质对锗酸铋晶体光学质量的影响
1992年
徐力潘志雷
关键词:锗酸铋晶体磁光
氧退火对PbWO_4闪烁晶体性能的影响被引量:1
1997年
以纯度不低于99.99%的PbO和WO3为原料,采用铂坩埚下降法生长PbWO4晶体。生长炉的升温、恒温、降温采用84-I程控仪和702温度控制器进行监控。对生长出的晶体或经氧退火后的晶体进行切割、研磨、抛光后进行性能测试。透射光谱测定结果表明,PbWO4晶体的吸收边(截止波长)在未退火时约为325nm,在氧退火后稍稍蓝移。420nm附近的透光率在氧退火后降低,严重时呈现一平台。370nm处的透光率在氧退火后增加。晶体在氧退火前为无色透明,富氧退火后略带浅黄色。光致发光光谱测定结果表明,氧退火前,晶体的最强发射峰为420nm(半高宽约为110nm),对应的最有效激发峰为320nm(半高宽至少为100nm);氧退火后,晶体的最强发射峰为487nm(半高宽约为105nm),对应的最有效激发峰为310nm(半高宽约为19nm)。无论退火与否,PbWO4晶体都有两个共同的发射峰,即主峰为403nm的蓝光带和主峰为625nm的红光带(极弱),其最有效激发峰分别为450nm和237nm。不过,晶体的625nm发射峰的有效激发峰,除425nm带外,在氧退火后还有稍弱的390nm带以及极弱的310nm带;而在氧退火前这两个激?
张明荣胡关钦李培俊徐力殷之文
关键词:钨酸铅晶体退火晶体性能光学性质
生长参数对Bi<,4>Ge<,3>O<,12>晶体能量分辨率的影响
Bi<,4>Ge<,3>O<,12>(以下简称BGO)晶体由于其综合优秀性能而被广泛应用于高能物理、空间物理和石油勘探等领域.特别是近年来核医学的发展,大量用于正电子发射断层扫描仪positron emission ph...
胡关钦李贇徐力
关键词:能量分辨率
文献传递
共2页<12>
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