张贺
- 作品数：13 被引量：32H指数：3
- 供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 发文基金：吉林省重大科技成果转化项目吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- 大模面积双包层增益光纤优化设计被引量：2
- 2014年
- 增益光纤的折射率和离子掺杂分布是决定光纤激光器输出功率和光束质量的重要因素,针对大模场光纤弯曲效应对模场面积和模场畸变的影响进行了数值分析,采用有限元方法计算了不同折射率和掺杂离子分布光纤的模场面积和增益系数。提出了高斯复合型折射率和掺杂离子分布的大模场增益光纤结构,该结构可有效提高增益光纤的增益系数和高阶模抑制系数,并具有较强的抗弯曲特性,较好的平衡了模场面积与抗弯曲特性的矛盾。根据计算结果设计了直径为65μm的高斯复合型折射率和掺杂分布的增益光纤,在波长为1.064μm的条件下,基模有效模面积达到1.17×103μm2,基模相对增益系数和高阶模相对抑制系数分别达到0.58和0.2088,有效地提高了光纤激光器和放大器的输出光束质量。
- 金亮徐莉张贺邹永刚丁晔马晓辉
- 关键词：模场面积
- 半导体激光器高频调制系统的研究
- 2016年
- 半导体激光器使得距离测量技术进一步提升,本文就针对半导体激光器的高频调制系统进行研究,以帮助半导体激光器在距离测量中的应用更加成熟。
- 李洋张贺徐英添邹永刚赵鑫马晓辉
- 关键词：半导体激光器
- 半导体激光光栅外腔光谱合束压窄光谱的理论研究
- 2017年
- 介绍了一种减少半导体激光器阵列光栅外腔光谱合束(SBC)整体光谱展宽的方法,通过加入一组变形棱镜对传统光谱合束结构进行了改善。变形棱镜的作用实现减小半导体激光线阵输出光斑宽度,减小入射到光栅上的入射角度进而减小整体的光谱线宽。采用发光单元宽度为100μm、周期为500μm、由19个发光单元组成的常规CM-Bar条进行光栅-外腔光谱合束技术的理论推导及软件模拟,得到了光谱线宽为3.2nm。与通过增大柱透镜焦距来减小光谱线宽的方法相比,此方法的优势是保证了整体光谱合束的整体结构在500mm以内,使得各个发光单元有足够反馈量,抑制光束间串扰,保证合束后的光束质量和效率。
- 吴肖杰张俊明赵爽邹永刚马晓辉张志敏隋庆学吴国盛张贺
- 关键词：半导体激光阵列
- 激光显示中的散斑抑制技术被引量：2
- 2016年
- 针对半导体激光器作为背光源的液晶显示器背光模组,应用TN型E7液晶构建抑制散斑装置,并分析频率与电压对散斑抑制效应的影响.结果表明,散斑对比度由6.52%降为2.80%,使人眼无法察觉散斑.
- 赵致童赵爽徐莉徐英添李洋马晓辉张贺邹永刚
- 关键词：激光散斑激光显示
- 准连续半导体激光高频调制技术研究
- 2016年
- 介绍了一种由信号放大电路、电流调制电路、过流保护电路、具有慢启动功能的直流偏置电路高度集成的半导体激光高频调制系统,此高频调制系统采用了结构简单的直接调制方式,这种调制方式是利用频率可调的调制信号去控制半导体激光器发射的激光光强,从而实现半导体激光高频调制。设计了半导体激光高频调制驱动输出的调制电流幅度为9.1A,调制电流频率达到了100MHz,直流偏置在1A内连续可调,实现了脉冲宽度均匀与非均匀两种情况,在均匀情况下占空比达到了50%。
- 王卫鹏徐英添邹永刚徐莉张贺李洋赵鑫马晓辉
- 关键词：半导体激光器脉冲宽度高频调制直流偏置
- 基于光谱合束技术的透射光栅模拟设计被引量：3
- 2017年
- 半导体激光器光谱合束技术能够实现近衍射极限的高功率激光输出,已成为当前研究热点。衍射光栅的性能直接决定光谱合束的激光输出效果。模拟设计了一种针对940nm波长、熔融石英材料的亚波长透射光栅。基于严格耦合波理论对光栅结构进行初步设计,运用Rsoft软件依次对光栅占空比、脊高和周期等参数进行优化确定,同时分析了各个参数对光栅衍射效率的影响。所设计的透射式光栅实现第-1级衍射级次的波分复用功能,衍射效率达到91.2%(TE模式),同时压缩其他衍射级次,使其衍射效率降到1.2%以下。同时在光栅入射角度59°±3°范围内保持90%以上的衍射效率,实现高功率激光输出的同时具有较高的误差容错率,易于调节,满足光谱合束技术的要求。
- 张俊明吴肖杰马晓辉张贺邹永刚
- 关键词：透射光栅熔融石英衍射效率
- 复合调制掺Yb^(3+)兆瓦级光纤激光系统被引量：1
- 2017年
- 提出了一种主振荡光纤放大系统,围绕提高脉冲信号的峰值功率和拓宽系统重复频率的调制范围两方面进行了实验研究。实验采用电脉冲调制和声光调制的方式对光脉冲序列进行调制,抑制了半导体种子源在小信号放大时产生的放大自发辐射效应和自激振荡,解除了种子源对系统重复频率的限制,使系统的重复频率在1~200kHz范围内连续可调。在声光调制器对光脉冲的调制过程中,声光Q开关有效抑制了放大过程中由自相位调制引起的光谱展宽。实验采用大模场棒状光子晶体光纤作为增益介质,提高了光脉冲的峰值功率和输出光的光束质量,抑制了因峰值功率过高引起的非线性效应,最终实现了脉冲宽度为1.12ns、峰值功率为2.01 MW的稳定光脉冲输出,平均功率超过56 W,输出光束质量接近衍射极限(M_x^2=1.49,M_y^2=1.54)。
- 金亮李四川赵鑫李洋张贺徐英添徐莉邹永刚徐成阳何广龙马晓辉
- 关键词：光纤光学复合调制高峰值功率光纤激光
- 硫酸化对CeO_2-ZrO_2催化剂上NH_3选择催化还原NO反应的影响（英文）被引量：5
- 2017年
- 由发电厂等固定源和柴油机等移动源排放的一氧化氮(NO)造成的环境污染问题日益严重.随着严苛的排放法规出台,NO排放控制技术受到越来越多关注.NH_3选择性催化还原(SCR)技术是目前去除NO应用最为广泛的方法之一.商业催化剂V_2O_5-WO_3/TiO_2在300–400℃温度窗口内显示出优越的NO去除效率,但仍存在一些问题,如钒氧化物的毒性以及在高温时形成N2_O和SO_3.因此,开发出低钒或无钒的新型催化剂是解决上述问题的关键.CeO_2和含铈材料是重要的催化剂载体,具有良好的还原能力和氧存储功能,因而广泛应用于催化领域.CeO_2添加到商用催化剂中不仅可以降低钒用量,而且可以提高催化剂抗碱金属中毒能力.CeO_2-WO3催化剂在200℃以上时比商用催化剂具有更宽的温度窗口,并展现出较高的抗SO_2和碱金属中毒能力.CeO_2-ZrO_2催化剂通过添加过渡金属元素可以提升其SCR活性,在较宽的温度窗口内具有较高的催化活性.废气中SO_2可导致催化剂失活,在实际应用中催化剂硫中毒是较为常见的催化剂失效原因.通常情况下,锰基和铁基催化剂最容易硫中毒.然而CeO_2催化剂在硫酸化处理后却展现出良好的SCR活性.催化剂硫酸化主要包括气相、液相和前驱体硫化三种方法.三种方法各有异同,但在催化剂表面形成的硫物种都是SO_4^(2–).硫酸化可以增强Ce基催化剂的SCR活性,但是对于硫化引起的催化剂表面酸性、氧化还原性以及NO吸附脱附性质的详细研究报道较少.本文通过液相法对CeO_2-ZrO_2(CeZr)催化剂进行了硫酸化.XRD结果表明,硫酸化并未对催化剂结晶结构产生影响.TPD和TPR结果表明,硫酸化后催化剂(S-CeZr)表面酸性增强,但抑制了其氧化性.通过原位红外光谱技术系统研究了催化剂在SCR反应过程中表面物种的变化,结果发现,CeZr和S-CeZr的催化机理相同,不同的SCR活性主要是由表面酸性和氧化性�
- 张贺邹永刚彭悦
- 关键词：硫酸化选择性催化还原氧化铈氧化锆
- 基于C-mount封装的半导体激光器热特性模拟分析被引量：3
- 2016年
- 通过对半导体激光器热特性以及散热方式的理论分析,建立了C-mount封装半导体激光器的物理散热模型,针对其在稳态工作条件下的热特性,利用ANSYS有限元软件进行了模拟分析,对ANSYS自建模与外部导入两种建模方式进行分析,发现自建模方式更加精确。通过改变C-mount热沉的厚度,得到了芯片温度的变化规律,并从热流的角度进行分析。最后,通过引入导热性能良好的金刚石膜与石墨烯膜,设计了一种较为理想的复式散热结构。
- 韩立徐莉李洋邹永刚马晓辉徐英添金亮张贺
- 关键词：半导体激光器ANSYS金刚石
- 液晶显示器激光背光光源侧体发光光纤的设计与研究被引量：10
- 2017年
- 设计并研究了对光纤侧面加工的方法,使光纤侧面发光,从而获得了液晶显示器背光模组所需要的多发光点结构的激光光源。模拟分析了对光纤侧面加工时不同孔深、孔面积、孔几何结构等参数对光纤光场的影响,得到了各个出光点对应光场照度最大值在5%均齐度范围内的光场。
- 赵致童张贺邹永刚马晓辉
- 关键词：激光物理激光显示液晶显示器半导体激光器光纤
