张维
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：福州大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- TiO_2薄膜元件阻变机理的模拟研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论采用第一性原理对Ti8O16、Ti8O15和Ti8O14三种晶体结构进行电子结构的模拟计算。通过模拟结果的分析推断氧空位的作用:氧空位含量较少时,起捕获电子的作用;氧空位含量较多时,起构成导电细丝的作用;可得出Ti O2阻变机理受导电细丝理论和空间电流限制电荷效应控制的推论。参考模拟计算的结果,通过选择不同的反应磁控溅射镀膜工艺,控制薄膜钛氧比进而改变氧空位含量,可获得低阻态受氧空位导电细丝控制的阻变介质层。采用反应磁控溅射法制备以Ti O2薄膜为阻变层的阻变元件并研究其阻变机理,需要大量的实验以优化镀膜工艺参数,而采用计算模拟的方法探讨阻变机理则可以节约材料和时间成本。
- 邢昕周白杨陈志坚李建新刘俊勇张维
- 关键词：TIO2氧空位反应磁控溅射
- TiN_x电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：2
- 2013年
- 利用第一性原理计算了TiNx体系中不同N含量(x=0、0.5、0.6和1)所对应TiNx晶胞结构的电子结构和光学性质。计算结果表明,TiNx均具有典型的金属性,随着N含量的增加,TiNx金属性减弱;精确计算了TiNx(x=0、0.5、0.6和1)晶体的介电函数和反射率函数,得出的计算结果与现有的理论吻合得较好,该结果为TiNx材料在分子原子尺度上的进一步设计及其应用提供了理论依据。
- 黄涛周白杨张维吴波
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- W/TiO_2/ITO薄膜的阻变性能及其机理研究被引量：3
- 2014年
- 采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层,制备W/TiO2/ITO薄膜阻变存储器单元。利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;组织结构以非晶为主,仅有少量的金红石相TiO2(110)面结晶;钛氧比为1∶1.92,其内部存在少量的氧空位。在电学测试中,元件呈现出了稳定的双极阻变现象,V Set分布在0.92 V左右,V Reset分布在-0.82 V左右;元件窗口值稳定,数据保持特性良好。通过对元件I-V曲线线性拟合结果的分析,我们认为元件的阻变机理由导电细丝机制主导。进一步的分析发现,该导电细丝是由钨原子构成,钨原子在电场作用下发生氧化还原反应并在TiO2薄膜层中迁移,造成了导电细丝的形成和断裂。
- 张维周白杨刘俊勇邢昕李建新
- 关键词：TIO2薄膜
