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张振伦

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇胶凝
  • 1篇导体
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体结构
  • 1篇C轴

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 2篇张振伦
  • 1篇杨平雄
  • 1篇邓红梅
  • 1篇郭鸣
  • 1篇褚君浩

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
BVO铁电薄膜电容结构的制备与性能研究
相对于传统的非易失性存储器,基于铁电薄膜的非易失性存储器具有功耗低,存取速度快,掉电数据不丢失等优点。锆钛酸铅/(PZT/)是最早的铁电存储器材料,已经被大量研究并做成商用的铁电存储器。但是由于PZT存在抗疲劳特性差,铅...
张振伦
关键词:溶胶凝胶电学性能光学性质
文献传递
Bi_2VO_(5.5)铁电薄膜的制备及电学性质研究被引量:1
2010年
利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明,Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明,Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景.
张振伦邓红梅郭鸣杨平雄褚君浩
关键词:溶胶凝胶电学特性
共1页<1>
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