张丽丽
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：内蒙古师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程动力工程及工程热物理更多>>
- 射频功率对微晶硅薄膜材料相结构的影响*
- RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱...
- 张林睿周炳卿张丽丽金志欣李海泉
- 关键词：RF-PECVDMICROCRYSTALLINECRYSTALLINEFRACTION
- 氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.
- 高玉伟张丽丽周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：溶胶-凝胶法ITO方块电阻透射率光电性能
- 射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.
- 张娜李海泉周炳卿张林睿张丽丽
- 关键词：氢化非晶硅薄膜射频功率光电特性
- 不同水浴时间对纳米TiO_2材料的影响
- 2012年
- 本文以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、冰醋酸、去离子水和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶法,制备了纳米二氧化钛胶体和粉体,并用旋转涂片法在玻璃衬底上沉积了不同层数的纳米TiO2薄膜。然后对纳米TiO2薄膜与粉体进行热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光谱(UV/vis)、扫描电镜(SEM)对纳米二氧化钛粉体与薄膜进行表征。结果表明,500℃和600℃下,样品均产生锐钛矿结构。随着镀膜层数的增加,薄膜的透射率逐渐下降。相同镀膜层数,随着水浴时间的增加,透射率呈现增加的趋势。通过对光学带隙的计算,表明退火温度对光学带隙有影响。
- 金志欣周炳卿张丽丽张林睿罗永胜
- 关键词：溶胶-凝胶法纳米TIO2光学带隙
- 热处理和掺铝量对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜光电性能的影响被引量：2
- 2013年
- 以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备AZO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对AZO薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块电阻进行测量与表征,并研究了热处理温度和掺铝量对AZO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:AZO薄膜的结构和光电性能与不同的热处理温度和掺铝量有关,实验得到了最佳的工艺条件为热处理温度为500℃,热处理时间为60 min,掺Al溶度为1mol%,镀膜层数为8层。
- 张丽丽周炳卿张林睿李海泉
- 关键词：溶胶凝胶法AZO薄膜光电性能
- 热处理对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜性能的影响
- 2013年
- 以(CH3COO)2Zn·2H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶旋转涂膜法以普通玻璃为基底制备ZnO薄膜。分别采用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜等对ZnO薄膜的物相组分、透射率和表面形貌进行测量与表征。研究了热处理温度对ZnO薄膜的物相结构和光学特性的影响。实验结果表明,ZnO薄膜的物相结构和可见光透射率都与热处理温度有关,随着热处理温度升高,ZnO薄膜的晶粒尺寸增大,晶格常数逐渐减小,薄膜的透射率增大。
- 张丽丽周炳卿张林睿李海泉
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法表面形貌透射率
- 掺锡量对溶胶-凝胶法制备ITO薄膜性能的影响
- 2013年
- 本文以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶法在玻璃载片上旋转涂膜制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO薄膜)。采用了紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪、X-射线衍射仪和扫描电镜等对ITO薄膜的透射率、方块电阻、物相组分和结构形貌进行测量与表征。研究了掺锡浓度对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果显示:ITO薄膜的光电特性与掺锡浓度有关,在掺杂溶度为12wt%时,制备出的ITO薄膜最低方块电阻为124Ω/□,最高透射率为92.85%。
- 张丽丽周炳卿张林睿李海泉
- 关键词：ITO薄膜溶胶-凝胶法表面形貌透射率方块电阻
- 溶胶凝胶法制备铁掺杂纳米TiO_2薄膜与其性能研究
- 2013年
- 以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、冰醋酸、去离子水和无水乙醇、含水硝酸铁等为原料,采用溶胶-凝胶法,制备得到掺铁纳米二氧化钛材料镀膜玻璃和二氧化钛粉体,研究了掺铁量、掺杂PEG量、镀膜层数、水浴处理等因素对TiO2纳米膜透光率和光催化活性的影响,并对其进行表征测试和探讨。研究发现,掺铁会优化TiO2纳米薄膜的很多性能。掺铁后薄膜的晶粒尺寸逐渐变小,晶格畸变比例变大。掺铁不改变二氧化钛的晶型结构。在透光率试验中,掺杂PEG的样品,水浴处理后测试效果较好,掺杂浓度与实验效果并不成正比。光催化实验中,掺杂浓度为0.075%时的效果最好。最终得出,在掺杂浓度为0.075%时,水浴处理并添加适量的PEG,镀4层膜时的综合效果最好。
- 李海泉周炳卿金志欣张丽丽张林睿
- 关键词：纳米二氧化钛铁掺杂水浴处理溶胶凝胶法
- 热处理对溶胶胶-凝胶法制备ITO 薄膜的光电特性的影响
- 是以InCl3·4H2O 和SnCl4·5H2O 为前驱物,利用溶胶-凝胶旋转涂膜法以玻璃为基底制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(即ITO 薄膜).分别采用四探针电阻测试仪、紫外可见分光光度计和X-射线衍射...
- 张丽丽周炳卿张林睿金志欣李海泉
- 关键词：SOL-GELITOTHINPROPERTIESPROPERTIES
- 微晶硅薄膜材料的沉积以及微结构与光电特性的研究被引量：1
- 2014年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在较高的射频功率和沉积气压条件下,通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数,以Corning7059玻璃为衬底制备微晶硅薄膜材料。通过拉曼光谱和光暗电导的测试等方法对薄膜特性进行了表征,研究了沉积参数对微晶硅薄膜材料的微结构以及光电特性的影响,并讨论了它们的相关性。解释了结构与光电特性的变化规律,以表面扩散的机理讨论了结晶过程。实验表明,硅烷浓度和衬底温度这两个参数对于微晶硅薄膜材料的微结构及其光电特性具有重要影响,而且参数之间存在匹配关系。
- 张林睿周炳卿张丽丽李海泉
- 关键词：微晶硅薄膜微结构光电特性
