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崔旭明

作品数:9 被引量:84H指数:5
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
相关领域:金属学及工艺理学机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电磁
  • 2篇电磁场
  • 2篇熔深
  • 2篇熔透
  • 2篇碳膜
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石碳膜
  • 2篇光谱
  • 2篇RAMAN光...
  • 2篇磁场
  • 1篇单电源
  • 1篇电弧
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇铁素
  • 1篇铁素体
  • 1篇偏流
  • 1篇热源
  • 1篇铸铁
  • 1篇物理过程

机构

  • 9篇北京航空航天...
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇山东大学
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 9篇崔旭明
  • 8篇张彦华
  • 8篇李刘合
  • 2篇张海泉
  • 2篇夏立芳
  • 1篇马欣新
  • 1篇武咏琴
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇孙跃
  • 1篇杨建华

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇物理学报
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇焊接技术
  • 1篇航空制造技术
  • 1篇北京航空航天...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2001
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
双面电弧焊接电磁场及热过程研究
崔旭明
关键词:熔透
真空阴极弧离子镀类金刚石碳膜Raman光谱研究被引量:6
2004年
分别采用带有和不带有弯曲弧磁过滤器的真空阴极弧离子镀方法,在不同镀膜电流以及不同基片偏流下分别制备了类金刚石碳膜,对比了不同结构下类金刚石碳膜的Raman光谱特点。对其Raman光谱的D峰和G峰采用Gaussian-Lorentzion的几率分布进行了分峰,并着重讨论了基片偏流、弯曲磁场等沉积参数对膜结构的影响。结果表明,氩分压对膜结构影响不大,较大的偏流以及弯曲磁场的加入均有利于sp^3杂化碳键的形成。
李刘合武咏琴崔旭明张海泉张彦华夏立芳朱剑豪
关键词:RAMAN光谱类金刚石碳膜偏流
Nb在非铸铁型焊缝中的合金化作用
本文以舍夫勒组织图为设计依据,采用严格冷焊工艺对Nb在非铸铁型焊缝中的合金化效果进行了研究。实验表阴,焊缝中过渡适量的Nb可以起到较好的铁素体化效果,焊缝硬度低,塑韧性好,可以满足强度级别较高的球墨铸铁、蠕墨铸铁的焊接要...
崔旭明李刘合张彦华杨建华
关键词:铸铁冷焊铁素体
文献传递
双面电弧焊接工艺及物理过程分析被引量:3
2003年
双面电弧焊接DSAW(Double SidedArcWelding)是近年来出现的一种焊接新工艺 ,它可以有效地增大焊缝熔深、减少焊接缺陷、降低焊接变形、提高焊接速度、节约能源消耗 .从实际应用角度 ,介绍了DSAW工艺的基本形式 ,讨论了单电源及双电源情况下的工艺原理 ,重点对单电源DSAW工艺增大熔深的机理进行了分析 ,从电弧物理角度揭示了双面电弧的焊接机理 。
崔旭明李刘合张彦华
关键词:电弧熔深电磁场
激光-电弧复合热源焊接被引量:20
2003年
在激光热源的基础上复合电弧进行焊接,可以降低焊接成本,提高焊接效率。本文综述了激光-电弧复合热源焊接国内外研究的现状,对旁轴式和同轴式两种复合方式进行了分析比较,并展望了该技术的发展前景。
崔旭明李刘合张彦华
关键词:激光焊接热源
单电源双面电弧焊接工艺实验研究被引量:3
2003年
双面电弧焊接工艺 (DSAW)是近几年新出现的一种焊接方法 ,它可以有效地增大焊缝熔深、提高焊接速度、节约能源消耗、降低焊接变形。本文对单电源 DSAW工艺进行了实验研究 ,分析了双弧作用下焊缝熔深的变化规律 ,对双面电弧的收缩现象进行观察 ,探讨了单电源 DSAW工艺增大焊缝熔深的机理。
崔旭明李刘合张彦华
关键词:熔深单电源
高效焊接工艺研究现状被引量:22
2004年
综述了国内外高效焊接工艺的研究现状 ,介绍了各种高效焊接工艺的原理、特点及应用范围 ,重点对双面电弧焊接 ( DSAW)工艺的研究热点进行了分析 ,指出了其研究方向。
崔旭明李刘合张彦华
双面电弧焊接熔透穿透机制被引量:7
2008年
通过分析双面TIG+TIG工艺及双面PAW+TIG工艺工件熔化过程,对双面电弧焊接中熔池熔透、穿透机制进行了分析。
崔旭明李刘合张彦华
关键词:熔透
X射线光电子能谱辅助Raman光谱分析类金刚石碳膜的结构细节被引量:26
2001年
分别采用具有和不具有弯曲弧磁过滤器的两种真空阴极弧离子镀方法 ,在不同工艺参量下制备了类金刚石碳膜 .采用Raman光谱和X射线光电子能谱 (XPS) ,分析了不同工艺参量下的类金刚石碳膜的键结构 ,通过对Raman光谱的D峰、G峰和C1s电子结合能峰位、强度的对比 ,详细讨论了沉积工艺参量对类金刚石碳膜结构的影响 .研究发现 ,不同工艺下具有高强度D峰Raman光谱的类金刚石碳膜 ,其C1s电子结合能却分别位于 2 84.15 ,2 85 .5 0eV ,表明高度石墨化和高度金刚石化两种状态类金刚石碳膜 。
李刘合张海泉崔旭明张彦华夏立芳马欣新孙跃
关键词:类金刚石碳膜RAMAN光谱X射线光电子能谱
共1页<1>
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