尚泽仁
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- PECVD法制备p型微晶硅锗材料的研究
- 为了进一步推进非晶硅薄膜太阳电池的产业化,人们提出利用非晶硅、微晶硅与硅锗材料形成三结电池结构以达到提高效率、降低衰退的目的。
微晶硅锗材料具有吸收系数高、带隙可调、光谱响应范围宽等特点,常被用做多结电池的底电...
- 尚泽仁
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜太阳电池生长动力学
- 文献传递
- 等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜
- 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应...
- 张建军赵颖耿新华胡增鑫谷士斌张丽萍尚泽仁
- 文献传递
- GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究
- 本文介绍了SiH+GeH和SiH+GeF两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以BH为掺杂气体,通过改变GeH和GeF的流量制备出不同锗含量的系列材料,比较两种反应气体对p型微晶...
- 张鑫张建军张丽平尚泽仁孙健耿新华赵颖
- 关键词：VHF-PECVD
- 文献传递
- 窄带隙微晶硅锗薄膜及其太阳电池应用研究
- 本文采用甚高频PECVD法,对比了SiH+GeH和SiH+GeF两种气体组合制备微晶硅锗薄膜的效果。Raman测试结果显示GeH的增加导致薄膜晶化率降低,而GeF可以促进材料的晶化。通过研究材料中的锗含量变化趋势发现,采...
- 张建军张丽平尚泽仁张鑫胡增鑫张亚萍孙建耿新华赵颖
- 关键词：光敏性太阳电池
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- 窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法
- 一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N<Sup>+</Sup>层和金属背电极，窗口层为p型微晶硅锗薄膜；该p型微晶硅锗薄膜的制备方法，步骤为：1)将带有透明导电膜的玻璃...
- 张建军尚泽仁倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
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- 等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜
- 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应...
- 张建军赵颖耿新华胡增鑫谷士斌张丽萍尚泽仁
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- H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜
- 2008年
- 采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.
- 张丽平张建军张鑫尚泽仁胡增鑫张亚萍耿新华赵颖
- 关键词：化学气相沉积X射线衍射
- 反应热CVD法多晶硅锗太阳电池的研究
- 张建军耿新华许盛之孙建王岩陈新亮胡增鑫尚泽仁
- 该项目开发了一种新型的CVD工艺——等离子辅助反应热CVD法，国际上首次提出采用氟化锗为气体以期达到锗含量与掺氟量的匹配的思想，解决了硅锗材料中氢择优与硅键合导致的随锗含量升高缺陷态增加的问题；系统研究了多晶硅锗材料生长...
- 关键词：
- 关键词：太阳电池
- 微晶硅锗薄膜的纵向生长及其太阳电池的研究
- 本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大后趋于稳定。通过研究证明生长籽晶...
- 张丽平张建军张鑫胡增鑫尚泽仁张亚萍张德坤孙建赵颖
- 关键词：太阳电池拉曼光谱
- 文献传递
- VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究被引量：3
- 2008年
- 以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响。随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗。
- 尚泽仁张建军张丽萍胡增鑫孙建薛俊明赵颖耿新华
- 关键词：VHF-PECVD太阳电池
