宋南辛
- 作品数：11 被引量：17H指数：1
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- 高亮度红色Ga_(1-x)Al_xAs/Ga_(1-y)Al_yAs发光二极管研究
- 1997年
- 研制成功了Ga1-xAlxAs／Ga1-yAlyAs双异质结红色（670nm发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延，并改进了电极制作技术，取得了很好的结果。
- 王明华廉晓黎李锡华陈德华宋南辛
- 关键词：发光二级管高亮度镓铝砷
- 非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器分析与实验
- 1995年
- 本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性，计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数，在上述分析的基础上，研制了非对称大光腔（Ａ－ＬＯＣ）ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器，其未涂覆输出光功率达８５ｍＷ以上，这一结果与理论计算基本符合。
- 康晓黎李锡华朱丽津宋南辛
- 关键词：激光器大光腔
- GaAlAs低温液相外延研究
- 1996年
- 本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关系，以及在６００℃下Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ外延层中工值与液相中Ａｌ含量的关系的实验结果；并且用扫描电镜测得在６００℃下１０ｓ时间生长的Ｇａ＿（０．９）Ａｌ＿（０．１）Ａｓ层厚为３０ｎｍ．
- 康晓黎邹胜华宋南辛
- 关键词：液相外延GAALAS
- 离子交换玻璃波导1×8多模干涉光功分器的研制被引量：14
- 2002年
- 利用三维有限差分光束传输法 ( 3 D-FDBPM)对渐变折射率波导中自镜象效应进行分析与模拟 ,在此基础上 ,利用 K+ -Na+ 离子交换在国产 K9光学玻璃上制作了 1× 8多模干涉( MMI)光功分器 ,测试表明 ,该器件初步实现了光均分功能 .
- 马慧莲王明华李锡华徐义刚宋南辛
- 关键词：离子交换玻璃波导光功分器多模干涉集成光学
- 高亮度红色发光二极管研究被引量：1
- 1998年
- 报导了高亮度红色发光二极管的主要研究技术及初步结果。已研制成的红色发光二极管在正向电流为２０ｍＡ时，发光强度为４００ｍｃｄ。研究中采用了具有独创性的双层石墨舟液相外延技术，并改进了电极制作技术，使发光管的正向压降显著降低。
- 康晓黎李锡华王明华陈德华宋南辛
- 关键词：高亮度红色发光二极管发光二极管
- 渐变折射率分布MMI型光功分器的研制被引量：1
- 2005年
- 以离子交换玻璃波导为例详细分析了渐变折射率分布波导中的自镜像效应,并完成了1×8渐变折射率分布MMI光功分器的设计和特性分析。在理论分析和设计的基础上完成了器件的制作,包括在国产K9光学玻璃上利用K+-Na+离子交换技术和以苯甲酸为交换源在铌酸锂基片上利用质子交换工艺分别完成1×8MMI光功分器的制作。测试表明器件基本实现了光均分功能。
- 王明华孙一翎马慧莲李锡华徐义刚宋南辛
- 关键词：多模干涉光功分器MMI型离子交换技术玻璃波导质子交换
- 基于三层模型的多量子阱激光器调制特性的SPICE模拟
- 2001年
- 从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型 ,并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为 ,避开了传统方法中处处都要涉及到的体积参量 ,解释了传统的二层模型所不能解释的多量子阱 (MQW )激光器中多量子阱内载流子不均匀分布问题 ,用SPICE进行了调制特性的模拟及讨论。激光器件的模拟以层次性的方式实现 ,对使用EDA工具进行集成光学器件和系统仿真进行了探索。
- 赵旭康晓黎宋南辛王明华
- 关键词：调制特性SPICE模拟
- GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究
- 1998年
- 本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作技术的改进，其正向电压降低于国外同类产品。
- 康晓黎李锡华王明华陈德华宋南辛
- 关键词：双异质结发光二级管LED
- 高亮度GaAlAs双异质结发光管
- 1994年
- 报道了我们在高亮度 GaAlAs 红色发光管方面的最新成果。在一套完整的液相外延工艺基础上,我们采用一种新型的石墨舟结构,通过适当地选择掺杂源,有效地控制了各层的铝组分,并且明显地改善了结晶质量,研制出了波长为670 nm,在 I=20 mA 室温条件下,光输出约30 mcd 的 GaAlAs/GaAs 双异质结发光管管芯。
- 蒋睿宋南辛李锡华
- 关键词：高亮度双异质结发光管液相外延
- 改善多层电光聚合物调制器直流弛豫的一种简单方法的分析与模拟(英文)被引量：1
- 2001年
- 电场分布和直流漂移对多层电光聚合物调制器的器件稳定性和极化效率有着重要的影响 .本文由电磁场理论建立出等效电路模型 ,分析结果表明多层聚合物调制器的稳态直流场分布取决于材料的电特性 ;材料的弛豫时间常数τ(τ=ε/σ2 ,其中σ是电导率 ,ε是介电常数 )是最大程度上消除直流场弛豫的关键 .当外加直流电压时 ,波导层的场分布由初态到稳态指数变化 ,这一过程由波导层和覆盖层的弛豫时间差决定 .当两者相差为零时 ,弛豫消失 .但在实际工艺中很难作到这一点 ,为此 ,本文经过分析、模拟 ,提出一种简单的“自抑制”机制 ,能够很好地改善多层电光聚合物调制器设计中的直流漂移问题 .
- 赵旭唐晓黎宋南辛王明华
- 关键词：场分布弛豫直流场
