孟扬
- 作品数：10 被引量：95H指数：5
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 高价态差掺钼氧化物透明导电薄膜的研究
- 首次引入复合效应对不同价态差的TCO薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析.随着掺杂离子与晶格间隙氧离子发生复合的几率的增大,价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子散射迁移率也随之增大,分别趋于价态差为1和2的TCO薄...
- 孟扬
- 关键词：透明导电薄膜
- 文献传递
- 透明导电氧化物薄膜的新进展被引量：37
- 2002年
- 透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO。2:F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2O3:Sn薄膜的趋势;多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求;具有高载流子迁移率的In2O3:Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路;真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。
- 孟扬沈杰蒋益明陈佾孔令柱沃松涛杨锡良陈华仙章壮健
- 关键词：TCO透明导电氧化物
- 新型透明导电薄膜In2O3:Mo
- MoO3的饱和蒸气压较高,可以直接用热反应蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜.XPS和XRD的测试结果证明,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+离子形式取代了In2O3晶格中的In3+离子而存在的,没有形成新的化...
- 孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一
- 关键词：透明导电薄膜电导率透射率
- 透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究被引量：7
- 2002年
- 采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物 (TCO)薄膜的载流子迁移率 ;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的 0 35倍 ;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由于载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释 ,为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中 ,每形成一个电中性复合粒子 ,就会使两个掺杂的Sn4+ 失去贡献载流子的电活性 ;而在IMO薄膜中 ,即使一个掺杂Mo6+ 与晶格间隙中的一个O2 -结合成复合离子后 ,该复合离子仍然会贡献出一个载流子 ,故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少 ,从而导致价态差为 3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为 1的ITO薄膜 ,因此 。
- 孟扬章壮健华中一
- 关键词：载流子迁移率
- 高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究被引量：34
- 2001年
- 在实用的透明导电氧化物 (TCO)薄膜中 ,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制。如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大 ,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子 ,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子 ,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收 ,是提高 TCO薄膜性能的一条捷径。采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2 O3:Mo,简称 IMO)薄膜中 ,Mo6 +与 In3+的化合价态相差 3,远大于广泛研究和应用的 TCO薄膜材料 In2 O3:Sn、Sn O2 :F和 Zn O:Al中的价态差。IMO薄膜的电阻率可以低至 1.7× 10 - 4 Ω· cm,对 4μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率 (含 1.2 mm厚玻璃基底 )都高于 80 % ;载流子迁移率高达 80～ 130cm2 V- 1 s- 1 ,远超过其它掺杂 TCO薄膜 ;但是自由载流子浓度只有 2 .5× 10 2 0～ 3.5× 10 2 0 cm- 3。
- 孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健
- 关键词：透明导电薄膜
- 臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用被引量：2
- 2001年
- 虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化成In2 O3,极大地改善了IMO薄膜的透明性。而且 ,IMO薄膜的结晶程度也得到了小幅度提高 ,这有利于提高薄膜电导率。在不加热基底的情况下 (约 30℃ ) ,制备的约 40 0nm厚的IMO薄膜的电阻率小于 5× 10 - 2 Ω·cm ;在基底温度为10 0℃时电阻率可以小于 2× 10 - 3 Ω·cm ;同时它们在可见光区域的总平均透射比 (含 1 2mm厚载玻片基底 )都超过 0 8。
- 孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一
- 关键词：透明导电薄膜臭氧透射比
- 新型透明导电薄膜In2O3:Mo
- 本文在不进行退火、放电等工艺处理的情况下,用常规的反应蒸发法在约350℃的1.2nm厚载玻片上制备的IM0薄膜的可见光区域平均透射率(含玻璃基底)可超过80﹪,同时电阻率可以低至1.7x10-4Ωcm。
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- 关键词：导电薄膜电导率透射率
- 复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响被引量：15
- 2001年
- 首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电 (TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的 TCO薄膜 ,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系 ,在载流子浓度相同的情况下 ,随着复合几率增大 ,价态差分别为 3和 4的 TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于 1和 2 ,因此带电离子散射迁移率也随之增大 ,分别趋于价态差为 1和 2的 TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为 3的 TCO薄膜 ,由于电中性复合粒子数量较少 ,对载流子的散射最弱 ,因此在复合几率较大的情况下 ,价态差为 3的 TCO薄膜有可能获得比价态差为 1的 TCO薄膜更高的载流子迁移率。
- 孟扬林剑刘键沈杰蒋益明杨锡良章壮健
- 关键词：透明导电薄膜
- 新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo被引量：21
- 2000年
- MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。
- 孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一
- 关键词：透明导电薄膜电导率
- 透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量被引量：3
- 2001年
- 用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 。
- 孟扬沈杰蒋益明刘键林剑杨锡良陈华仙章壮健
- 关键词：透明导电薄膜载流子浓度
