孙运涛
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：嘉应学院物理与光信息科技学院物理系更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 非晶碳化硅薄膜光学特性的热退火效应被引量：1
- 2008年
- 通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1.86 eV连续增加到经1 050℃退火样品的2.23 eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。
- 孙运涛
- 关键词：碳化硅热退火光学特性
- 激光退火纳米晶化碳化硅薄膜的发光特性研究被引量：2
- 2005年
- 采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的喇曼光谱和光致发光(PL)特性进行了分析.结果表明,nc-SiC薄膜在室温条件下表现出谱带为300~600 nm范围内的较宽光致发光,随退火激光能量密度的增加,nc-SiC薄膜晶化程度增大,原子有序度提高,398 nm附近的发光峰相对强度增加,而470 nm附近发光峰相对减小.并认为这2个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这2种发光过程存在竞争.
- 孙运涛
- 关键词：发光特性激光退火碳化硅
- 负折射介质的物理特性被引量：1
- 2006年
- 负折射介质具有许多独特的物理性质,即反常折射现象、自聚焦效应、逆Dopp ler频移和反常Cerenkov辐射等,这些性质为人们提供了控制光的全新手段,具有良好的应用前景。先回顾了负折射介质的研究历史,然后对负折射介质主要物理性质的物理机制进行了详细的解释,最后简单介绍了光子晶体负折射效应。
- 孙运涛
- 关键词：负折射率波矢自聚焦
- 光子晶体的负折射效应被引量：5
- 2007年
- 回顾了负折射介质的研究历史,综述了光子晶体负折射效应的物理机制、研究进展以及目前的主要研究方向,展望了光子晶体负折射效应的应用前景。
- 孙运涛
- 关键词：负折射光子晶体波矢
- 纳米碳化硅半导体材料光致发光特性的研究进展被引量：1
- 2004年
- 概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H。
- 孙运涛
- 关键词：纳米碳化硅光致发光发光机制
