孙肖磊
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计被引量：1
- 2008年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°-2°之间。
- 刘会东张海英孙肖磊陈普峰
- 关键词：微波单片集成电路宽带数字衰减器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
- 一种LTCC带通滤波器的设计与实现被引量：2
- 2008年
- 设计并实现了一个2阶切比雪夫带通滤波器,采用1/4波长终端短路线作为谐振腔,谐振腔间采用电容耦合实现导纳转换,来达到减小体积的目的。给出了适用于工程应用的设计步骤以及设计公式,滤波器的实际实现采用LTCC技术,结合三维电磁场仿真,设计出一种高抑制、低插损的滤波器,该滤波器中心频率为4 GHz、带宽为400 MHz,插入损耗小于2.3dB。可以广泛应用于导航和通信系统电路中。
- 孙肖磊黄华朱旻张海英刘会东
- 关键词：低温共烧陶瓷滤波器谐振腔插入损耗
- 用于超宽带系统的CMOS宽带低噪声放大器设计
- 超宽带技术(UWB)最近成为工业界和学术界共同关注的一种技术，由于其高速率、低功耗和适合短距离通信的特点，可广泛的应用于无线个域网(WPAN)等领域中。
在超宽带射频系统中，低噪声放大器(INA)的设计是最大的挑战...
- 孙肖磊
- 关键词：CMOS工艺超宽带系统
