喻菁
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院应用物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量：4
- 2008年
- 本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息．本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究，运用该技术并结合深能级Arrhenius分析，得到EL2能级值为0．82±0．02eV．
- 张英杰邓爱红幸浩洋龙娟娟喻菁于鑫翔程祥
- 关键词：正电子半导体
- 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究被引量：1
- 2010年
- 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.
- 陈燕邓爱红赵有文张英杰余鑫祥喻菁龙娟娟周宇璐张丽然
- 关键词：磷化铟正电子寿命谱电子辐照
- 含He纳米钛膜的XRD研究被引量：2
- 2010年
- 本文采用直流磁控溅射方法,在He/Ar混合气氛中,通过分别改变He/Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜.利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究.结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He/Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02 nm减小到8.63 nm.随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势.而当沉积偏压从24 V增加到151V时,其平均晶粒尺寸基本不变.He引入引起了(002)晶面衍射峰向小角度移动,晶格参数c增加,而a不变.
- 喻菁邓爱红余鑫祥龙娟娟周宇璐陈燕
- 关键词：磁控溅射晶粒尺寸
- 钚中空位对氦泡生长影响的动力学Monte Carlo研究被引量：1
- 2010年
- 对于氦在金属中的行为特性研究,人们已经做了大量工作;但对于金属钚,这方面的工作仍然非常少.钚的自辐照效应可以在自身引入大量的空位和氦原子,这些空位及氦原子扩散、聚集,会对材料性能造成不良影响.本文采用动力学Monte Carlo(KMC)方法,分别建立了纯氦模型和空位模型,进行模拟研究,发现空位对氦泡生长速度、生长形态都有明显的影响.
- 余鑫祥邓爱红程祥周宇璐张英杰喻菁陈燕龙娟娟
- 关键词：钚氦空位
