周静
- 作品数：11 被引量：43H指数：5
- 供职机构：武汉工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 氯氧镁水泥制品的改性研究被引量：5
- 1997年
- 本文试验制备出氯氧镁水泥制品，果用XRD分析确定其水化相，着重分析各种改性剂的作用，并讨论了制备工艺对制品性能的影响。
- 徐庆陈文周静阎加强崔万秋
- 关键词：氯氧镁水泥改性研究
- 废玻璃—废渣泡沫玻璃的研制
- 1996年
- 果用废披璃和水淬渣为主要原料制备出泡沫玻璃，并测试制品的基本性能，分析制备工艺对制品性能的影响，同时确定了制品的最佳组成。
- 徐庆陈文周静孙国才
- 关键词：泡沫玻璃废渣废玻璃水淬渣
- PLMN、PLN、PMN体系压电陶瓷性能与结构的对比研究被引量：6
- 2000年
- 在PLN -PZT、PMN -PZT两个三元系基础上制备的PLMN -PZT四元系压电陶瓷综合了两个三元系材料的优点 ,既具有良好的压电性能又具有小的损耗 ,是一种优良的压电变压器材料。通过三个体系的比较 ,PLMN -PZT四元系材料适中的四方度、晶粒尺寸及晶界处锰的析出是它具有良好压电、介电性能的结构基础。
- 刘静丁凌峰周静崔万秋
- 关键词：压电陶瓷PMN-PZT
- 某些添加剂对瓷器白度的影响
- 1996年
- 日用陶瓷的性能(比如白度和半透明度)取决于烧结状况的原料纯度,原料组成中铁和钛的氧化物的存在使瓷坯着色不良,并且使透明度和白度降低。许多研究表明,氧化铁允许的最高含量不超过0.7％±0.2％,氧化钛不超过0.5％±0.2％。着色氧化物含量变化0.1％,就会引起白度变化5％～7％。
- 周静徐绪坤И.В.Пищ
- 关键词：添加剂瓷器
- 掺杂对V<,2>O<,3>系PTC材料电子结构的影响
- 采用自洽场离散变分X<,α>(SCC-DV-X<,α>)方法,研究纯V<,2>O<,3>理想晶体及掺杂Cr元素体系的电荷分布、态密度和能级结构，讨论了掺杂对电子结构与性能的影响。结果表明：纯V<,2>O<,3>理想晶体具...
- 周静陈文徐庆胡勇胜张枫闵新民
- 关键词：掺杂电子结构量子化学计算
- 文献传递
- 居里温度前后V<,2>O<,3>系材料的电子结构变化
- 采用多极拟合自洽场离散变分X<,α>(SCM-DV-X<,α>)方法对(V<,0.995>Cr<,0.0025>Al<,0.0025>)<<,2>O<,3>体系分别处于25℃及200℃时的电荷分布、态度度、能级结构等进行...
- 周静陈文徐庆雷丽文闵新民吕明胡勇胜
- 关键词：居里温度电子结构相变
- 文献传递
- 掺杂V_2O_3系PTC陶瓷的研究现状及进展被引量：6
- 1997年
- 本文简要介绍了掺杂V_2O_3中的M-I相交以及相关PTC特性,综述了国内外掺杂V_2O_3系PTC陶瓷的研究现状和近期在掺杂体系、淬冷处理工艺和金属添加剂等方面的研究进展,并展望了掺杂V_2O_3系PTC陶瓷的应用前景。
- 徐庆陈文周静崔万秋
- 关键词：PTC陶瓷掺杂相变氧化钒
- PZSN系压电陶瓷X射线衍射分析被引量：13
- 1996年
- 用Ｘ射线衍射法研究了Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）］（ＺｒＴｉ）Ｏ３体系压电陶瓷的结构．探讨了微量元素掺杂对材料晶胞参数的影响，以及电极化前后的状况结果表明：样品均为四方相钙钛矿型结构；掺杂微量元素后晶胞参数略有变化；极化使角区发生９０°旋转，微应变增加。
- 孙文华周静崔万秋
- 关键词：压电陶瓷X射线衍射
- 掺杂V_2O_3系PTC陶瓷电极的研究被引量：2
- 1996年
- 本文采用一次烧渗法制备出掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的Ａｇ－Ｚｎ－Ｔｉ电极，测量了电极的电学性能，采用差热—失重分析、ＸＲＤ分析和电子探针Ｘ射线衍射显微分析等方法研究了电极的结构，同时对电极与陶瓷基体的接触状态进行了分析。研究结果表明：在电极与陶瓷基体间获得良好的欧姆接触，Ｚｎ和Ｔｉ固溶进入Ａｇ晶格而形成固溶体，Ｚｎ对形成欧姆接触具有重要影响。
- 徐庆陈文周静崔万秋
- 关键词：陶瓷PTC电极欧姆接触掺杂三氧化二钒
- SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的研究进展被引量：3
- 1997年
- 介绍了SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。
- 徐庆陈文周静崔万秋
- 关键词：半导体陶瓷
