您的位置： 专家智库 > >

周雪梅

作品数：20 被引量：37H指数：4
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇非晶硅
  • 7篇晶体管
  • 7篇薄膜晶体
  • 7篇薄膜晶体管
  • 6篇硅薄膜
  • 5篇液晶
  • 5篇液晶显示
  • 5篇液晶显示器
  • 5篇显示器
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇太阳电池
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层太阳电池
  • 2篇异质结
  • 2篇优化设计
  • 2篇有源矩阵

机构

  • 20篇华中理工大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 20篇周雪梅
  • 20篇王长安
  • 20篇徐重阳
  • 18篇赵伯芳
  • 13篇邹雪城
  • 9篇张少强
  • 7篇曾祥斌
  • 4篇符晖
  • 3篇饶瑞
  • 2篇戴永兵
  • 2篇张洪涛
  • 1篇陈斌
  • 1篇墙威

传媒

  • 3篇光电子技术
  • 3篇半导体光电
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇陶瓷工程
  • 1篇电源技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇液晶通讯

年份

  • 1篇2001
  • 5篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 7篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 20 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管被引量：2
2000年
提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效抑制关态电流 (Ioff)上升的机理。研究了有源层a -Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响。检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性。
王长安周雪梅张少强赵伯芳徐重阳
关键词：非晶硅薄膜薄膜晶体管
7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究被引量：3
1995年
研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。
徐重阳符晖邹雪城张少强袁奇燕周雪梅赵伯芳王长安
关键词：液晶显示器有源矩阵优化设计
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺被引量：1
1995年
研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
王长安徐重阳周雪梅张少强赵伯芳邹雪城
关键词：非晶半导体异质结PIN光电二极管
具有双层背电极的非晶硅太阳电池热稳定性研究
1995年
提出一种采用铬的硅化物／铝的双层背电极的新型非晶硅ＰＩＮ太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅ＰＩＮ太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻挡两侧铝原子和硅原子的相互热扩散，从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。
王长安徐重阳周雪梅邹雪城赵伯芳
关键词：太阳电池热稳定性硅化物
铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究被引量：4
2001年
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。
饶瑞徐重阳王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
关键词：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化多晶硅薄膜
PECVD法制备纳米硅薄膜材料被引量：5
1999年
采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
曾祥斌徐重阳王长安墙威周雪梅赵伯芳戴永兵
关键词：PECVD法
Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究被引量：4
2000年
以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜（TEM）结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗粒尺寸在直径为2nm－4nm，长度为20nm－40nm左右的SiC纳米晶须构成，纯度高，且膜为不均匀孔膜。
张洪涛徐重阳邹雪城曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
关键词：纳米晶须溶胶凝胶法碳化硅
a-Si:H TFT自对准工艺的研究
1995年
实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。对影响自对准结构a－Si：HTFT特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si：HTFT，可以有效地改善a－Si：HTFT的开态特性，其通断电流比比ION／IOFF＞105。
张少强徐重阳赵伯芳邹雪城符晖袁奇燕周雪梅王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
采用非晶硅集成型色敏元件的颜色识别装置的研究被引量：1
1996年
采用非晶硅集成型色敏元件的颜色识别装置的研究王长安，周雪梅，徐重阳，张少强（华中理工大学固电系）０引言机器人的研究开发，彩色显示的色调整，印染、造纸、油漆等行业的测色、配色均要求研究结构简单、操作方便、能精确识别物体颜色的色敏元件和颜色识别装置。非晶...
王长安周雪梅徐重阳张少强
α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究被引量：1
1992年
本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。
徐重阳王长安周雪梅邹雪城赵伯芳
关键词：非晶硅异质结
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0