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周盛华

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇低功耗
  • 3篇电流镜
  • 3篇电路
  • 3篇直流工作点
  • 3篇射频识别
  • 3篇功耗
  • 3篇标签
  • 2篇电子标签
  • 2篇信号
  • 2篇信号转换
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声发生器
  • 2篇声发生器
  • 2篇双端
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电路
  • 2篇无源电子标签
  • 2篇发生器
  • 1篇电路设计
  • 1篇信息采集

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇周盛华
  • 6篇吴南健
  • 3篇杨志超
  • 2篇李美云

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种互补式金属氧化层半导体磁传感器
本发明涉及用于信息采集系统的磁传感器技术领域，公开了一种CMOS磁传感器，包括：一偏置电路，用于为MagFET电流镜和差分放大器提供直流工作点；一MagFET电流镜，用于将磁信号转换为双端电信号，并输出给差分放大器；一差...
周盛华吴南健杨志超
文献传递
一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器
本发明涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于将微小的噪...
周盛华吴南健
文献传递
低功耗射频识别标签芯片的研究和设计
本论文论述了超高频射频识别系统的工作原理，对射频识别标签芯片的结构和关键技术进行了分析，重点从理论上研究了CMOS工艺下实现射频识别标签芯片的整流和低功耗设计等关键技术。提出和设计了新的超高频整流器、低功耗随机数发生器和...
周盛华
关键词：射频识别
步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路
本发明涉及数据读取技术领域，特别是一种步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路实现。主要用于通用射频标签(RFID)系统中作为数据防冲突的方法，该方法用于解决射频标签系统中读卡器[Reader]与标签[Tag]之间通信时由于标...
杨志超周盛华吴南健李美云
文献传递
小面积低功耗RFID射频前端电路设计被引量：1
2006年
提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.
周盛华杨志超吴南健李美云
关键词：射频识别无源电子标签低功耗EPCGEN2
CMOS超高频整流器被引量：2
2007年
提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.
周盛华吴南健
关键词：整流器射频识别无源电子标签低功耗
一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器
本发明涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于将微小的噪...
周盛华吴南健
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