吴振宇
- 作品数：52 被引量：96H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 一种针对集成电路NBTI失效的SPICE电路仿真方法
- 本发明公开了一种针对集成电路NBTI失效的SPICE电路仿真方法，方法包括：先建立NBTI失效模型，再将NBTI失效模型转换为NBTI模块，并结合压控电压源构建等效电压源模块，利用等效电压源模块搭建工作电路，对未经失效注...
- 吴振宇刘孟龙刘滨洋柴臻彭超群
- 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
- 本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回...
- 杨银堂吴振宇汪家友付俊兴柴常春
- 文献传递
- 一种基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法
- 本发明涉及半导体物理学技术领域，且公开了一种基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法，包括薄膜层，所述薄膜层的底表面设置有金属层，所述金属层的底表面设置有导电聚合物层。该基于Si基GaN材料结构的高性能半...
- 台运涛吴振宇万坤龚子刚陈财黄永陈兴
- 微波ECR等离子体刻蚀系统被引量：13
- 2002年
- 研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2 、SiN、SiC、Si等材料的微细图形刻蚀 ,刻蚀速度分别为 2 0 0nm/min ,5 0 0nm/min ,4 0 0nm/min ,70 0nm/min ,加工硅圆片Φ2 0 0mm ,线条宽度 <0 3μm ,选择性 (SiO2 、Si) >2 0 ,剖面控制 >83° ,均匀性 95 % ,等离子体密度 2 0× 10 11cm-3 。电离度大(>10 % ) ,工作气压低 (1Pa～ 10 -3 Pa) ,均匀性好 ,工艺设备简单 ,参数易于控制等优点。
- 徐新艳汪家友杨银堂李跃进吴振宇
- 关键词：刻蚀同轴腔体集成电路
- 用ECRCVD方法制备优质氮化硅钝化膜被引量：2
- 2004年
- 利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究。采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量。结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低。薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大。折射率随微波功率的增大而减小,随混合气体中硅烷比例的增大而增大。在相同气体混合比和微波功率条件下,较高衬底温度条件下制备的薄膜折射率较大。
- 吴振宇汪家友杨银堂
- 关键词：氮化硅钝化膜电子回旋共振等离子体化学气相沉积ECR-CVD
- 一种集成电路耦合失效SPICE仿真方法
- 本发明公开一种集成电路耦合失效SPICE仿真方法，基于界面陷阱浓度N<Sub>it</Sub>构建NBTI和HCD效应作用的耦合失效物理模型，将耦合失效物理模型转化为Symbol模块并与压控电压源构建等效电压源模块；搭建...
- 吴振宇刘滨洋刘孟龙柴臻彭超群
- 非晶氟化碳膜的制备与性能研究被引量：3
- 2005年
- 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)的方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体质量流量比R(R=m(CH4):m(CH4+C4F8))条件下制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱技术分析了a-C:F薄膜的化学结构.FTIR分析表明,a-C:F薄膜中含有CFx(x=1～3),CF=C以及位于a-C:F交联结构末端的CF2=CF等基团,没有迹象表明有C-H存在.XPS C1s峰各结合态与结合能的对应关系分别为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1～3)(287 eV)以及位于a-C:F交联结构末端的C-C(285 eV).随着气体质量流量比R的增大,a-C:F薄膜中的F含量和位于a-C:F交联结构末端的C-C含量减小,而交联C-CFx含量增大.而且当气体质量流量比R增大时,a-C:F薄膜介电常数随着电子极化减小以及薄膜密度增大从2.1上升到2.4,漏电流随着π价带态和π*导带态之间带隙的减小而上升,薄膜热稳定性随着破坏薄膜交联结构的CF3和CF2=CF等不稳定成分的减少以及C-CFx交联结构的增多而上升.
- 吴振宇杨银堂汪家友
- 关键词：A-C:F化学气相沉积化学组分
- SF_6/O_2等离子体刻蚀a-C:F薄膜的研究
- 2007年
- 以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C∶F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小。AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构。XPS能谱分析表明,SF6气体刻蚀a-C∶F薄膜样品化学组分未发生变化,而O2气体刻蚀后在样品表面形成富C的a-C∶F层。该研究结果为a-C∶F应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础。
- 吴振宇杨银堂汪家友柴常春
- 关键词：等离子体刻蚀表面形貌XPS
- ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积了氟化非晶碳（a-C：F）低介电常数（低后）材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C：F薄膜的化学组分和光学性质。沉积的a-C：F薄膜介电常数约为2．1-2．4，热稳定性优于350℃。随着气体流量比的增大，沉积a-C：F薄膜中的碳含量增大，CF、CF2、CF3含量减少，C-C交链成分增加，从而使得π-π^＊吸收增强，并引起薄膜光学带隙下降。氮气气氛下350℃温度退火后应力释放引起a-C：F薄膜厚度变化，变化量小于4％。450℃温度退火后，由于热分解作用薄膜厚度变化量在30％左右。
- 吴振宇杨银堂汪家友
- 关键词：ECR-CVD光电子能谱
- 一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法
- 一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法，属于系统级封装技术领域，其特征在于：第一步通过建立系统级封装结构模型，确定影响微凸点可靠性的材料因素及水平建立正交试验设计组合，再以微凸点热应力为响应进行分析，利用田口...
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- 文献传递
