刘雅丽
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Cu掺杂ZnO薄膜的制备及其光谱特性被引量：10
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Cu:ZnO薄膜。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜样品的晶相结构和形貌,用荧光光谱仪测量了薄膜样品的光致发光谱。结果表明:Cu:ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,呈c轴择优取向,且因压应力的存在使其晶格常数略小于未掺杂薄膜样品的晶格常数;低温和高温退火处理的薄膜样品的光致发光谱(PL)中分别观察到414 nm、438 nm的蓝光双发射峰和510 nm左右的绿光发射峰。蓝光发射峰与样品中的VZn和Zni有关,而绿光发射峰与样品中的VO-Zni有关。
- 邱春霞阮永丰张灵翠刘雅丽王帅
- 关键词：溶胶-凝胶法光致发光谱
- 掺杂ZnO薄膜的电致发光的探索
- ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,在室温甚至高温下可以实现高效的激子复合发光,是一种理想的短波长发光器件材料。此外,ZnO作为一种半导体材料,它的性能是由其...
- 刘雅丽
- 关键词：氧化锌薄膜掺杂改性电致发光器件退火温度光学性能
- 文献传递
- AlN外延膜的深紫外光致发光研究
- have investigated the optical properties of AlN epitaxial layer grown by MOCVD using temperature-dependent pho...
- 王维颖刘雅丽金鹏许福军唐宁葛惟昆沈波
- 关键词：发光机理
- Li掺杂对ZnO薄膜的晶体结构和光学性能的影响被引量：7
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Li∶ZnO薄膜,并且利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)、荧光光谱仪(PL)多种测试手段研究了不同掺锂浓度对ZnO薄膜的结构形貌、晶格常数、禁带宽度以及光致发光的影响。结果显示,Li的掺入导致ZnO薄膜的晶格常数减小,同时禁带宽度也减小。光致发光谱表明,掺Li后的ZnO薄膜的可见光发光峰由绿光发光峰和黄光发光峰组成,并且发生红移。我们认为,黄光发射可能是电子由单电离氧空位VO+到缔合缺陷LiZnVO的跃迁引起的,并且提出了缔合缺陷LiZnVO的结构模型。
- 刘雅丽阮永丰翟影张灵翠邱春霞
- 关键词：LIZNO薄膜溶胶-凝胶法禁带宽度光致发光
- 用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法
- 一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层...
- 刘雅丽金鹏王占国
- 文献传递
- ZnO纳米棒的电致发光研究被引量：3
- 2014年
- 采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒膜层,构建了无绝缘层和添加Alq3为绝缘层的两类ZnO发光器件,测试和比较了两类器件的光致发光与电致发光特性。结果表明,在ZnO和Alq3混合体系的PL谱中,观察到ZnO的380 nm发光减弱而Alq3的520 nm发光增强,这表明在ZnO的激子态和Alq3分子之间发生了能量转移。ZnO纳米棒的EL谱表现为随机激光,这主要是由于光在纳米棒内谐振,及纳米棒长短不一、阵列不整齐所致。加入Alq3后,器件的I-V曲线上出现了约为1.6 V的阈值电压,工作电压由30 V降为18 V,且器件的发光颜色由黄绿区移到蓝紫区。
- 翟影阮永丰张灵翠刘雅丽邱春霞
- 关键词：ZNO纳米棒电致发光随机激光
