刘艳辉
- 作品数：31 被引量：40H指数：4
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理文学更多>>
- 晶粒尺寸对FeS_2薄膜微应变及光吸收特性的影响被引量：3
- 2007年
- 采用不同厚度的Fe膜在673K热硫化20h制备出具有不同晶粒尺寸的FeS2薄膜,分析并测定了薄膜组织结构、微应变及光吸收性能．结果表明,Fe膜硫化形成的FeS2薄膜厚度在120-550nm范围内变化时,可导致平均晶粒尺寸在40-80nm之间变化．FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低．
- 刘艳辉汪洋孟亮
- 关键词：晶粒尺寸禁带宽度
- Fe和Fe_3O_4硫化制备的FeS_2薄膜的性能被引量：3
- 2006年
- 用溅射Fe和电沉积Fe3O4先驱体硫化制备出FeS2薄膜,研究了不同先驱体对硫化过程和FeS2薄膜性能的影响．结果表明,两种先驱体结晶成的FeS2能够在一定程度上保留先驱体形貌特征．Fe生成FeS2的热力学驱动力比较高,虽然可能生成FeS的过渡相;Fe硫化生成的薄膜平整致密,晶粒生长比较充分,尺寸较大,其禁带宽度接近理论值．Fe3O4硫化生成FeS2 的热力学驱动力较低,生成的薄膜表面疏松多孔,晶粒细小;薄膜的晶界等面缺陷比例较大和几何连续性较低使其电阻率较高、禁带宽度和载流子迁移率低于Fe膜硫化FeS2薄膜．
- 刘艳辉侯玲范多旺汪洋孟亮
- 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
- 本发明公开了一种单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法。采用晶体取向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜，再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80kPa压...
- 孟亮刘艳辉黄伟
- 文献传递
- 多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺...
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 文献传递
- 硫化参数对铁膜合成二硫化铁簿膜光电性能的影响
- 研究了纯Fe 膜在200～600℃硫化10h及55℃硫化1～10h 条件下形成FeS 薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律。纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上硫化时,薄膜才会出现明...
- 孟亮黄伟刘艳辉
- 关键词：硫化光吸收电阻率
- 文献传递
- 多晶FeS_2薄膜电学性能的研究与进展被引量：1
- 2006年
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 在幻象中感受到真理性——关于当代艺术的一次讨论
- 2022年
- 当下,艺术批评已经成为国际美学界最具当代性的前沿问题和研究领域,艺术批评和美学研究的结合成为一件非常重要的事情。它有别于过去那种以某种逻辑起点、强调某种逻辑严整性的美学理论形态。马克思主义美学不同于其他很多美学学派最根本的地方,就是切入当代艺术现实从而更好地实现影响大众、改造现实的目标。
- 王杰王杰王小松刘艳辉
- 关键词：艺术批评当代艺术马克思主义美学美学理论真理性
- 钝顶螺旋藻Sp-CH32藻胆蛋白的高效表达特性及制备工艺研究
- 螺旋藻是丝状的多细胞蓝藻,是当前国内外研究与开发规模最大的经济微藻。藻胆蛋白是螺旋藻中含有藻胆素、具有荧光特性的一类生理活性蛋白,具有很高的理论研究与开发利用价值。藻胆蛋白不仅可作为天然色素用于食品、化妆品和染料等行业,...
- 刘艳辉
- 关键词：钝顶螺旋藻藻蓝蛋白光合色素
- 文献传递
- 硫化时间对电沉积制备FeS_2薄膜组织与结构的影响被引量：6
- 2005年
- 利用电沉积及热硫化法制备了FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化时间对FeS2薄膜形成过程的影响.结果表明采用Na2S2O3和FeSO4水溶液电沉积和150～200℃处理可以制备多孔Fe3O4薄膜,再经400℃、80kPa硫化处理,Fe3O4可转变成FeS2多晶薄膜.随硫化时间延长到10h,FeS2的晶格常数减小而晶粒粗化,再继续延长硫化时间,FeS2的晶格常数增大而晶粒尺寸下降.可以用点缺陷浓度、相变应力及亚晶界运动等因素分析Fe3O4向FeS2转变过程中的微观组织参数变化规律.
- 文良起刘艳辉侯玲孟亮
- 关键词：电沉积硫化
- 硫化参数对铁膜合成二硫化铁薄膜光电性能的影响
- 研究了纯Fe膜在200～600℃硫化10h及500℃硫化1-10h条件下形成FeS<,2>薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上硫化时,薄膜才会出...
- 孟亮黄伟刘艳辉
- 关键词：硫化光吸收电阻率半导体材料
- 文献传递
