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倪振华

作品数:26 被引量:0H指数:0
供职机构:东南大学更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇光电
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 5篇探测器
  • 4篇单晶
  • 4篇激光
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光谱
  • 4篇钙钛矿
  • 3篇电极
  • 3篇光电探测器件
  • 3篇发光
  • 3篇衬底
  • 2篇电器件
  • 2篇电子领域
  • 2篇电子注入
  • 2篇电子注入层
  • 2篇丁基
  • 2篇氧化锌

机构

  • 26篇东南大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇冶金工业信息...
  • 1篇江苏省特种设...
  • 1篇国家纳米科学...
  • 1篇泰州巨纳新能...
  • 1篇江南石墨烯研...

作者

  • 26篇倪振华
  • 4篇陈云飞
  • 4篇张勇
  • 4篇赵伟玮
  • 2篇田正山
  • 2篇傅强
  • 2篇刘磊
  • 2篇朱刚毅
  • 2篇理记涛
  • 2篇徐伟
  • 2篇袁志山
  • 2篇徐春祥
  • 2篇毕可东
  • 2篇沙菁洁
  • 2篇司伟
  • 2篇李柳
  • 1篇王欣然
  • 1篇章琦
  • 1篇吴建峰
  • 1篇周涛

传媒

  • 1篇中国科学:信...

年份

  • 10篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
二维层状钙钛矿单晶、宽光谱光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种二维层状钙钛矿单晶及其光电探测器件的制备方法,包括以下步骤:(1)制备钙钛矿前驱液,将2‑溴乙胺氢溴酸盐,氧化铅溶于氢溴酸次磷酸混合溶液中制备前驱液;(2)在高温下搅拌至透明后缓慢降温获得钙钛矿单晶;(3...
李格非吕俊鹏张勇倪振华
一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法
本发明公开一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法,属于半导体光电器件领域。本发明通过非平行板式电容耦合等离子体装置来对二维半导体进行插层处理,即利用氧等离子嵌入二维半导体的范德华层间空隙,使样品原子层之间实现物...
倪振华吕俊鹏章琦王世选傅强
一种基于拉曼散射的应力作用下薄膜材料热导率的测量方法
本发明涉及一种基于拉曼散射的应力作用下薄膜材料热导率的测量方法。该方法的工作原理是:在柔性基底上附着悬空的薄膜材料,然后对薄膜材料施加沿面内方向的外力,通过控制外力大小,实现对薄膜材料的应力调制。利用薄膜材料拉曼光谱对于...
毕可东赵伟玮陈伟宇倪振华陈云飞
文献传递
基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制法
本发明公开了一种基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制备方法,包括以下步骤:(1)利用化学气相沉积生长制备异质结衬底材料WSe<Sub>2</Sub>纳米片:(2)将Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3...
吕俊鹏倪振华 赵蓓 郭丁立傅强
一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法
本发明公开了一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)将剥离后的云母覆盖在金属钼薄片的上表面,间距控制在0.5毫米以内;(2)将云母与金属钼薄片组合放入拥有长梯度降温范围的管式炉内,再通过一步化...
倪振华 关辉艳 赵蓓
一种相位补偿型硅基星形90度光混频器
本发明提供一种相位补偿型硅基星形90度光混频器,硅波导层配置包括信号光输入波导、本振光输入波导、Y分支和3个2×2多模干涉耦合器(MMI)组成的星形结以及四个输出波导;本振光输入波导与Y分支输入端口耦合,信号光输入波导与...
林曈孟睿范岩李柳倪振华吕俊鹏恽斌峰
二维层状钙钛矿单晶、宽光谱光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种新型二维层状钙钛矿单晶及其光电探测器件的制备方法,包括以下步骤:(1)制备钙钛矿前驱液,将2‑溴乙胺氢溴酸盐,氧化铅溶于氢溴酸次磷酸混合溶液中制备前驱液;(2)在高温下搅拌至透明后缓慢降温获得钙钛矿单晶;...
李格非吕俊鹏张勇倪振华
一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器
本发明公开了一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器,包括双光梳产生模块、第一光开关模块、第一准直模块组件、第二准直模块组件、样品支架、样品台、第二光开关等;该方案基于高速光谱型双光梳椭偏测量原理,利用光开关模...
林曈陈泽龙李柳范岩路丰盛倪振华吕俊鹏
新型二维材料与器件应用专题(2023)简介
2023年
根据最新国际器件与系统路线图,二维半导体被认为是延续器件尺寸微缩至1 nm节点最具竞争力的沟道材料.SCIENCE CHINA Information Sciences在2019和2021年组织出版了两期“新型二维材料与器件应用专题”,得到了广大读者的高度肯定和广泛引用.在过去2年,二维材料及其器件与集成领域的研究取得了诸多重要进展与技术突破,包括晶圆级单晶外延生长与层数控制,面向性能、功耗、尺寸(PPA)优化的器件技术以及异质集成、感存算融合等.同时,我们认为未来10年将是二维材料从实验室走向产业化的关键时期,全球产业巨头(台积电、Intel、三星、IMEC等)均在全力推进二维半导体的产业化布局,IEDM、VLSI等电子器件顶级会议持续报道了业界在材料、器件等方面的核心技术突破.我们计划在未来几年持续组织二维材料与器件相关专题,致力于介绍二维材料的最新进展.
王欣然倪振华何军吕俊鹏
关键词:器件尺寸
基于垂直沟道范德华异质结的红外探测器及制备方法
本发明公开了一种基于垂直沟道范德华异质结的红外探测器及制备方法,包括衬底和从下至上依次堆叠在所述衬底上的金底电极、透明底电极、范德华异质结、透明顶电极和金顶电极;该范德华异质结为具有垂直沟道的范德华异质结,且该范德华异质...
倪振华吕俊鹏吴建峰张嘉霖
共3页<123>
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