何宏家
- 作品数：27 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究
- 1989年
- 本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.
- 杨保华王玉田李成基何宏家王占国林兰英
- 关键词：GAASLPE晶格失配
- SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
- 1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
- 卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
- 文献传递
- 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量被引量：4
- 1998年
- 本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．
- 王玉田陈诺夫何宏家林兰英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
- 利用红外偏振光显微镜对Ｓｉ－ＧａＡｓ抛光损伤的研究
- 卜俊鹏何宏家
- 关键词：红外显微镜砷化镓晶体缺陷晶体检验
- 半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响被引量：10
- 1997年
- 在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．
- 吴巨何宏家范缇文王占国张绵
- 关键词：砷化镓衬底MESFETS旁栅效应
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- 提拉法砷化镓晶体生长过程的动态数值模拟
- 邬小波何宏家
- 关键词：砷化镓数值模拟晶体生长提拉速率
- 离子束外延生长半导体性锰硅化合物被引量：4
- 2001年
- 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6
- 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
- 关键词：硅单晶
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数a<Sub>m</Sub>；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次...
- 陈诺夫林兰英王玉田何宏家钟兴儒
- 文献传递
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数a<Sub>m</Sub>;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次...
- 陈诺夫林兰英王玉田何宏家钟兴儒
- 文献传递
