黄飞
- 作品数：18 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 薄膜宽度对于NiFe/Ta逆自旋霍尔效应影响的自动表征
- 2024年
- 通过分立模板镀膜法在同一块光刻版上设计了不同宽度的NiFe/Ta双层膜线条,采用磁控溅射镀膜制备样品。构建了自动化电测试系统实现批量测试样品的逆自旋霍尔电压信号。实验结果表明,样品宽度会影响测试电压信号的对称性和幅值,通过拟合得到信号的对称分量和反对称分量及其比值随着样品宽度的变化,并分析逆自旋霍尔电压和自旋整流电压的影响因素,发现随着样品宽度的减小,自旋整流效应带来的影响逐渐减小,且施加的微波磁场越大,这种变化越明显,其原因在于各向异性磁电阻对薄膜宽度的依赖性。研究结果对自旋电子器件的实用提供重要的设计依据和指导。
- 王嘉栋骆培文黄飞张文旭
- 关键词：各向异性磁电阻
- 温度补偿的延迟线型SAW应变传感器被引量：2
- 2022年
- 声表面波(SAW)延迟线作为传感器可对传感器进行编码,从而实现多点分布式测量,因而受到广泛研究。该文采用128°Y-X切向LiNbO_(3)作为压电基底,制备了不同对数的叉指换能器(IDT)的SAW延迟线,并研究了其应变特性。研究结果表明,IDT对数为10对、20对、30对时,SAW延迟线应变灵敏度分别为1.7275 ps/με、2.0467 ps/με、3.2566 ps/με。SAW延迟线的应变特性和应变方向与声波传播方向间的夹角有关,夹角为0°时,延迟时间随应变的增大而增大;夹角为90°时,延迟时间随应变的增大而减小。利用夹角分别为0°和90°的SAW延迟线构成了差分结构的应变传感器。测试结果表明,该差分结构可抵消温度的影响,即温度变化时也可获得准确的应变。该文研究的差分结构延迟线有望在温度波动环境中测试应变时得到应用。
- 杨小杨黄飞彭斌何鹏朱加良
- 关键词：延迟线应变传感器差分结构
- 一种HfO2基铁电材料的使用方法
- 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO<Sub>2</Sub>基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO<Sub>2</Sub>基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用...
- 毕磊黄飞秦俊邓龙江
- 文献传递
- 一种FeGa合金衬底的AlN薄膜及其制备方法
- 本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域，具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成；缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与Al...
- 彭斌谢小伟张万里张文旭黄飞
- 文献传递
- 铁电氧化铪薄膜材料研究
- 自2007年英特尔公司首次将氧化铪（HfO2）作为高介电栅极材料以来,HfO2已经被工业界视为标准的栅极介电材料,广泛用于先进的金属-氧化物-半导体场效应晶体管内。众多关于高介电栅极材料的研究已经证明了这种材料初衷的半导...
- 黄飞
- 关键词：抗辐照
- 文献传递
- 低轨卫星通信接入与切换策略研究
- 卫星通信系统是实现全球个人通信的重要组成部分，其中低轨卫星通信系统以其全球覆盖、低传输时延、低功耗、抗毁性强等优点而具有广阔的发展前景，并将在未来的个人通信领域中发挥重要作用。然而，为促进低轨卫星通信系统的全面应用，依然...
- 黄飞
- 关键词：卫星通信低轨卫星切换策略动态信道分配
- FM/NM薄膜结构中获得纯净逆自旋霍尔电压的方法
- 本发明提供一种FM/NM薄膜结构中获得纯净逆自旋霍尔电压的方法，首先利用仿真软件找到一个铁磁薄膜长宽比值a，使得微波感应电流主要被限制在样品的测试方向；测量长宽比值为a的单层铁磁薄膜样品在φ<Sub>H</Sub>为90...
- 张文旭黄飞彭斌张万里
- 基于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及方法
- 本发明提供一种基于自旋泵浦‑逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO<Sub>2</Sub>基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200...
- 张文旭黄飞彭斌张万里
- 文献传递
- DDS+PLL高速捷变频频率合成器
- 详细介绍了步长为1Hz在DDS+PLL直接数字频率合成器的设计过程,同时说明了采用这种方案实现的难度和缺点,给出了结合样机的测试结果,最后提出了将DDS应用到微波段的设想和尝试.
- 潘晓雷杨国渝罗惠琼黄飞
- 关键词：直接数字合成相位噪声杂散
- 文献传递
- 一种HfO<Sub>2</Sub>基铁电材料的使用方法
- 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO<Sub>2</Sub>基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO<Sub>2</Sub>基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用...
- 毕磊黄飞秦俊邓龙江
