您的位置: 专家智库 > >

马泽宇

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇氧化锌
  • 3篇吸波
  • 3篇吸波特性
  • 3篇晶须
  • 3篇T-ZNOW
  • 1篇氧化碳
  • 1篇氧化锌晶须
  • 1篇异质结
  • 1篇逾渗
  • 1篇四针状氧化锌
  • 1篇四针状氧化锌...
  • 1篇体积
  • 1篇体积分数
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体传感器
  • 1篇吸波材料
  • 1篇肖特基
  • 1篇积分
  • 1篇分子复合材料
  • 1篇复合材料

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇马泽宇
  • 5篇王晓亮
  • 2篇肖红领
  • 2篇王翠梅
  • 2篇杨翠柏
  • 1篇李晋闽
  • 1篇王军喜
  • 1篇侯洵
  • 1篇冯春
  • 1篇王占国
  • 1篇侯奇峰

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性...
马泽宇王晓亮
关键词:氧化锌晶须吸波特性
文献传递
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量:1
2008年
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4~10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
关键词:ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量:1
2010年
从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。
马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
关键词:T-ZNOW逾渗复合材料
四针状氧化锌晶须的制备及其吸波特性研究进展
四针状氧化锌晶须以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。本文介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备以及其吸波特性的研究进展。指出改性氧化锌晶须...
马泽宇王晓亮
关键词:氧化锌晶须吸波材料吸波特性
文献传递
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展被引量:1
2008年
四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。
马泽宇王晓亮
关键词:氧化锌晶须吸波特性
共1页<1>
聚类工具0