马子文
- 作品数：7 被引量：15H指数：2
- 供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 无压力辅助硅/玻璃激光局部键合被引量：6
- 2007年
- 提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.
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- 关键词：MEMS激光键合表面活化
- 表面翘曲度对晶圆直接键合的影响被引量：2
- 2006年
- 根据薄板弯曲理论,推导出晶圆表面翘曲度及夹具形状影响晶圆直接键合的理论公式,很好地解释了晶圆材料性质及尺寸大小对直接键合的影响。利用理论公式比较了晶圆在外压力和无外压力作用下翘曲度对晶圆直接键合的不同影响,结果表明晶圆键合后的形状由晶圆的初始形状及键合所用的夹具决定。最后应用有限元进行了仿真分析,仿真结果表明,晶圆存在一定翘曲度时施加合适的外压力将有助于晶圆的直接键合。
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- 关键词：翘曲度有限元仿真
- 晶圆低温键合的理论及实验研究
- 键合温度是晶圆键合技术最重要的指标,对于含有温度敏感材料器件的键合,高温键合技术是不适用的,因此降低键合温度实现低温晶圆键合具有十分重要的意义。低温直接键合技术由于键合温度低,键合质量好,键合材料限制少等优点在绝缘体上硅...
- 马子文
- 关键词：直接键合温度场分布
- 文献传递
- 晶片直接键合所需表面粗糙度条件被引量：4
- 2007年
- 根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型硅片直接键合(α>1.065);在外压力作用下键合(0.57<α<1.065)和有空洞产生的键合(α<0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.
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- 关键词：直接键合
- 激光键合的有限元仿真及工艺参数优化被引量：2
- 2007年
- 在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽.然后通过漏选试验确定影响激光键合的主要工艺参数有激光功率、激光扫描速度及键合初始温度.最后通过对仿真结果进行回归分析,得到激光键合工艺的最优参数,为进一步研究激光键合工艺提供了理论依据.
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- 关键词：激光键合有限元法
- 表面活化处理在激光局部键合中的应用被引量：1
- 2007年
- 为了研究低热应力键合工艺,提出了一种将表面活化直接键合与激光局部键合相结合的键合技术。首先采用RCA溶液对键合片进行表面亲水活化处理,并在室温下成功地完成了预键合。然后在不使用任何夹具施加外力辅助的情况下,利用波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd∶YAG连续式激光器,实现了激光局部键合,并取得了6.3MPa^6.8MPa的键合强度。结果表明,这种以表面活化预键合代替加压的激光局部键合技术克服了传统激光键合存在的激光对焦困难,以及压力不匀易损害键合片和玻璃盖板等缺点,同时缩短了表面活化直接键合的退火时间,提高了键合效率。
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- 关键词：激光技术表面活化键合强度
- 一种硅/玻璃激光局部键合方法
- 一种硅/玻璃激光局部键合方法，属于晶圆键合技术，目的在于使特定区域局部高温，实现键合，并具有高的键合强度，晶圆或器件整体上处于较低温度，不产生不必要的温度梯度和应力场分布，以避免已经集成的压力、温度等传感器件的性能受到影...
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- 文献传递
