韩运成
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金日本文部省基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
- 2008年
- 不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在.高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的.在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额.当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应.
- 彭海波王铁山韩运成丁大杰徐鹤程锐赵永涛王瑜玉
- 关键词：高电荷态离子溅射沟道效应
- 高能光子轰击氘核产生带电π介子的实验研究
- 光生π介子是研究介子、核子及核子共振态相互作用的最佳方法之一，其中光生单π介子是探索电磁共振耦合的标准方法，为检验强子模型的基本工具。系统地研究光生π介子过程(如多极分析)要用到同位旋结构幅度。只有同时获取了良好的光子质...
- 韩运成
- 关键词：Π介子氘核反应截面
- 文献传递
- 高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究
- 2008年
- 高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大.
- 彭海波杨秀玉程锐王释伟羊佳韩运成赵永涛房燕王铁山
- 关键词：高电荷态离子溅射碰撞
- 用于光生成反应的低温液体氢/氘靶系统的研制
- 2010年
- 为研究光生成带电π介子和中性K介子,研制了1套液体氢/氘靶系统,用于日本东北大学核科学实验室的中性K介子谱仪实验系统。这套靶系统的设计目标是使生成产额最大化、本底最小化及操作安全易行。经实验检验,该套液体氢/氘靶系统的几何安置误差约为1.1mm,靶的有效核子个数不确定度约为0.63%。靶系统在液体状态连续稳定工作可超过3周。靶系统的良好运行完全达到了预先设计目标。
- 韩运成王铁山B.Beckford藤井隆穗二川健太桥本治神田浩树金田雅司川崎泰斗木村千草前田和茂奥山皓
- 178Hfm2的性质探寻与研究
- Hf为72号元素 Hf 的同质异能素,其自旋角动量及宇称为16,具有长达31年的半衰期, 激发态能级2446 keV。1999年美国德克萨斯大学 C．B．Collins 等人发现用低能 X 射线(＜90 keV) 能够加...
- 王铁山向阳韩运成陈建勇
- 文献传递
