陈峰
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
- 2012年
- 使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。
- 张浚源王鹏陈峰孙伟中吕晓丹苟富均
- 关键词：流体电子密度电子温度
- Ar射频放电特性随时间演化的PIC／MCC模拟被引量：1
- 2012年
- 采用等离子体粒子模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为。在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程。由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小。经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡。在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献。最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况。
- 张浚源陈峰孙伟中吕晓丹贺平逆苟富均
- 关键词：等离子体鞘层
- F原子与Si表面相互作用的动力学研究被引量：6
- 2012年
- 采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。
- 赵成利邓朝勇孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆张浚源刘玉杰苟富均
- 关键词：分子动力学刻蚀
- 不同流速对LTE态下氢等离子体特性的研究被引量：1
- 2012年
- 采用二维流体力学模型研究了多级直流弧放电装置中流速对处于局部热平衡状态下氢等离子体特性的影响。分析了氢等离子体中心轴线处电场和压强的分布情况;各粒子密度在通道中的分布状态;通道出口处等离子体温度以及电导率的分布情况。模拟结果表明,随着流速的增大,中心轴线处电场和压强均增大;通道中氢等离子体的各粒子密度变化很小;通道出口处等离子体温度以及电导率在出口处沿径向的分布影响不大。
- 陈峰张浚源赵成利孙伟中田树平张晋敏苟富均
- 关键词：氢等离子体流体
- 分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响
- 2011年
- 本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15?、30?、45?、60?和75?。模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子。在相互作用过程中,SiC表面形成一层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF。
- 赵成利孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆刘华敏张俊源苟富均
- 关键词：分子动力学刻蚀
- C^+轰击铍的分子动力学模拟被引量：3
- 2011年
- 使用分子动力学模拟方法研究了入射能量对C+离子与Be样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,随着C+离子的入射能量增大,C+离子注入深度也增加,Be原子的溅射产额近似线性增加,而滞留在样品中的C原子数量变化不大,在C+离子轰击Be样品的初始阶段,样品中Be原子的溅射产额较大,而随着C+离子注入剂量的增加,Be原子的溅射产额逐渐减小并趋于稳定。在此作用过程中,在样品表面形成一个富C层,减缓了样品中Be原子的溅射速率,起到了保护Be样品的作用。
- 孙伟中赵成利张浚源陈峰潘宇东苟富均
- 关键词：分子动力学入射能量溅射
- 入射角度对Ar^+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟
- 2011年
- 采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小。相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si原子和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布几乎没有影响,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。
- 孙伟中张浚源赵成利陈峰苟富均
- 关键词：分子动力学SIC溅射
