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郭冰

作品数：10 被引量：21H指数：3
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇砷化镓
  • 3篇激光
  • 3篇飞秒
  • 3篇LT-GAA...
  • 2篇散射
  • 2篇空穴
  • 2篇光电
  • 2篇飞秒激光
  • 2篇GAAS
  • 1篇电脉冲
  • 1篇电子学
  • 1篇牙髓
  • 1篇牙髓病
  • 1篇色散
  • 1篇锁模
  • 1篇透镜
  • 1篇自启动
  • 1篇自相关
  • 1篇脉冲
  • 1篇开关

机构

  • 10篇中山大学

作者

  • 10篇郭冰
  • 8篇张海潮
  • 8篇文锦辉
  • 8篇林位株
  • 3篇赖天树
  • 2篇廖睿
  • 1篇钟伟彬
  • 1篇黄淳

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇光子学报
  • 2篇中山大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1999
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CaAs中光生重空穴的空穴—空穴散射被引量：5
2000年
讨论了高斯型载流子分布的静态屏蔽效应及其对空穴—空穴散射率的影响 ,说明随着空穴初始动能的减小 ,载流子分布的静态屏蔽效应和散射前后空穴波函数的重叠积分导致散射率迅速减小 .重叠积分对空穴—空穴散射率带来的修正因子的下限约为 0 3,上限为 1,均大于先前报道的修正因子 0 1.
张海潮文锦辉郭冰赖天树林位株
关键词：砷化镓
LT-GaAs飞秒光电导特性被引量：3
2001年
采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0～ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式 ,对实验曲线进行数据拟合 ,结果与实验曲线吻合 .
郭冰文锦辉张海潮廖睿赖天树林位株
关键词：飞秒激光LT-GAAS超快光电导开关
GaAs中光生重空穴散射的飞秒光谱被引量：1
2000年
采用可调谐飞秒激光光谱技术 ,研究 Ga As中光生重空穴的超快弛豫动力学过程 .测得重空穴的弛豫时间为 1 50 fs,表明空穴的热弛豫由空穴 -空穴散射和空穴吸收光学声子共同决定 .给出光生空穴的空穴 -空穴散射率公式 ,说明价带类 | p〉波函数的各向异性使得低能量空穴的散射率变小 .计算得到的空穴弛豫时间与实验结果较好符合 .
张海潮文锦辉郭冰林位株
关键词：砷化镓
共面微带传输线超短电脉冲传输特性被引量：7
2000年
本文用快速傅里叶变换对LT GaAs衬底共面微带传输线光生超短电脉冲的时域传输特性进行了数值计算 结果表明 ,THz以上高频范围的模式色散、LT GaAs衬底切伦科夫辐射衰减使超短电脉冲信号沿LT GaAs衬底共面微带传输线超传输时波形畸变 ,初始光生电脉冲越窄 ,则信号波形畸变越严重 减簿衬底厚度可降低LT GaAs衬底共面微带传输线的模式色散和辐射衰减 ,有利于改善LT
郭冰文锦辉张海潮林位株
关键词：LT-GAAS超短电脉冲传输特性
四种充填技术对模拟侧支根管的充填能力的实验研究
根管治疗术是牙髓病和根尖周病的基本治疗方法和最佳选择，包括根管预备、根管消毒和根管充填三个步骤。根管充填是根管治疗的最终步骤也是非常重要的一个步骤。 恒牙的根管结构十分复杂，必须对根管进行严密的三维充填，封闭整...
郭冰
关键词：根管充填术侧支根管牙髓病根尖周病
文献传递
低泵浦功率自启动KLM锁模钛宝石飞秒激光器被引量：2
2000年
A low pump power self starting Kerr lens mode locking Ti:sapphire laser without internal aperture is demonstrated and analyzed with “thick lens” model and with self consistency gain modulation. Pulses as short as 15 fs are generated with pump power of 3 5 W.
文锦辉郭冰张海潮廖睿林位株
关键词：克尔透镜锁模泵浦功率
飞秒激光与超快光电导研究
由于易于获得功率大、可调谐范围宽的稳定飞秒激光脉冲输出,自锁模钛宝石飞秒激光器自1991年问世以来,旋即成为超快科学研究最有力的工具;另一方面,差不多是同期出现的低温生长砷长镓(简称LT-GaAs)半导体材料因几乎兼备超...
郭冰
文献传递
n型掺杂GaAs中重空穴的飞秒动力学被引量：1
1999年
本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了室温下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性．测量到重空穴的热化时间约为３００ｆｓ，与理论计算结果一致，表明重空穴－光学声子散射是主要的热化途径，并得到光学形变势常数ｄ０为３１ｅＶ．
黄淳张海潮文锦辉郭冰赖天树林位株
关键词：N型掺杂弛豫砷化镓
光激发LT-GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性被引量：4
2000年
采用半经验色散公式分析了 L T- Ga As厚衬底共面微带传输线的 THz模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性 ,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗 .结果表明 ,较小的横向尺寸有利于改善 L T- Ga As共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性 。
郭冰文锦辉张海潮钟伟彬林位株
关键词：LT-GAASTHZ色散光激发
飞秒电脉冲光电导自相关探测
2000年
飞秒激光脉冲光电导取样技术在超短电脉冲的产生与测量及其在超高速光电子器件特性研究、光通信与光电信息处理等方面有着十分诱人的应用前景,已成为近年来超快光电子学研究的热点[1,2].本文介绍采用飞秒激光脉冲自相关方法在低温生长砷化镓(ＬＴＧａＡｓ)共面微带传输线?..
郭冰文锦辉张海潮钟伟斌林位株
关键词：激光光电子学砷化镓
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