郑祺
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
- 供职机构：上海工程技术大学材料工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 一种集成电路芯片结构
- 本实用新型公开了一种集成电路芯片结构，其包括集成电路及邻接于所述集成电路周边的密封环，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本实用新型提供的集成电路芯片结构，既可以防止水气的...
- 何佳郑祺
- 文献传递
- 工艺案例在《微电子器件可靠性》中的运用与实践被引量：1
- 2014年
- 概括国内外可靠性课程与可靠性专业的整体布局和设置状况。简要介绍《微电子器件可靠性》课程的特点,分析《微电子器件可靠性》课程中的核心模块和有机联系。以企业中通用型CMOS晶体管的生产制作为例,以生产过程中注入工艺参数Dvt、DNF、DP执行、成品的阈值电压电参数Vtn、Vtp测试等进行体验式教学,将核心模块中数学、半导体物理、芯片制造、管理等串联起来,构建了《微电子器件可靠性》课程中工艺案例的运用与实践。
- 张霞于治水姚宝殿言智郑祺
- 关键词：电子器件可靠性CMOS
- PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展
- 2012年
- 简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化率并改善薄膜质量。结合喇曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外光谱和高分辨透射电镜等表征方法可深入研究薄膜形成机理,对进一步探索薄膜光电特性有重要意义。分析了等离子体化学气相沉积(PECVD)制备方法中各工艺参数对薄膜质量和沉积速率的影响,指出其存在的问题,并探寻了今后的研究方向。
- 何佳邱海宁郑祺
- 关键词：纳米晶硅薄膜晶化率
- 电子封装技术专业的核心课程体系与课外创新实践被引量：3
- 2014年
- 概括国内外电子封装技术的科研布局和专业设置状况,纵观国内半导体企业对人才的需求,以"工程师摇篮"为教育理念,加强器件物理、器件工艺原理、器件可靠性分析等课程作为专业必修课,现代测试技术、微纳米技术、光电子器件与封装技术作为选修课,优化设计技能培训、创新实验、综合实验、课程设计、专业实习和产学研联盟等课外创新实践。该课程体系构建了上海工程技术大学"以产学研战略联盟为平台,学科链、专业链对接产业链"的教育模式。
- 张霞于治水姚宝殿言智郑祺廖秋慧
- 关键词：电子封装核心课程
- 一种静态随机存储器
- 本发明公开了一种静态随机存储器，其包括存储器阵列及其电路，其特征在于：还包括数个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成。因本发明提供的静态随机存储器具有数个自偏压电路，...
- 何佳郑祺
- 文献传递
- 一种具有自偏压的静态随机存储器
- 本实用新型公开了一种具有自偏压的静态随机存储器，其包括存储器阵列及其电路，其特征在于：还包括数个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成。本实用新型提供的具有自偏压的静态...
- 何佳郑祺
- 文献传递
- 激发兴趣与成就梦想——电子封装技术的专业人才培养
- 2016年
- 以上海工程技术大学材料工程学院电子封装技术专业为例,以激发学习兴趣、成就学生梦想为目标,助推学生从大一的懵懂无知至大四的社会主义事业可靠接班人和高级应用型工程技术创新人才的完美蜕变。
- 张霞郑祺林青于治水
- 关键词：电子封装大学生
- 一种低功耗静态存储器
- 本实用新型公开了一种低功耗静态存储器，其包括存储器阵列和多个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个由字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成；组成每个自偏压电路的P型晶体管的一端与动态电源相连接，另一端与存储...
- 何佳郑祺
- 文献传递
- DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制被引量：1
- 2014年
- 采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V^0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V^0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。
- 张霞袁陈晨郑祺徐士美童庆强
- 关键词：CMOS晶体管阈值电压DOE
- 一种用于集成电路芯片的密封环结构
- 本发明公开了一种用于集成电路芯片的密封环结构，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本发明既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，...
- 何佳郑祺
- 文献传递
