赵玉印
- 作品数：30 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种宽禁带功率器件场板的制造方法
- 本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
- 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
- 文献传递
- Ta反应离子刻蚀特性的研究
- 人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtor...
- 赵玉印杜寰韩郑生
- 关键词：刻蚀等离子体刻蚀速率
- 文献传递
- 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
- 本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
- 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
- 文献传递
- 采用电子束/I线混合光刻技术制备0.25微米射频SOI NMOS器件的研究
- 该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台,采用了电子束和I线混合光刻加工技术,成功的试制了0.25um SOI NMOS射频器件,阈值电压0.4-0.45伏,沟道导通跨导Gm为195-200ms/mm,特征频率为1...
- 李俊峰赵玉印柴淑敏刘明徐秋霞钱鹤
- 关键词：射频SOI电子束光刻技术
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- 深硅槽的刻蚀研究
- 在集成电路技术中,深硅槽主要用于双极集成电路中的隔离以及DRAM中的电容制作.由于双极集成电路中的工作电流大,深硅槽隔离技术对于双极集成电路来说是非常重要的,同时也能减少器件面积,而对于DRAM制作,深硅槽能制备出大电容...
- 赵玉印欧文
- 关键词：集成电路刻蚀技术
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- 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
- 本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀...
- 刘新宇汤益丹许恒宇蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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- 高性能42nm栅长CMOS器件被引量：1
- 2003年
- 研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。
- 徐秋霞钱鹤韩郑生刘明侯瑞兵陈宝钦蒋浩杰赵玉印吴德馨
- 关键词：CMOS器件
- 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
- 一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法,本方法包括:步骤一:采用为氟化处理技术;步骤二:采用为70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真度的...
- 徐秋霞钱鹤于雄飞赵玉印
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- 一种宽禁带功率器件场板的制造方法
- 本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
- 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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- 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
- 本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
- 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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