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赵伟立
作品数:
20
被引量:2
H指数:1
供职机构:
杭州电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张海鹏
杭州电子科技大学
孔令军
杭州电子科技大学
汪洋
杭州电子科技大学
刘怡新
杭州电子科技大学
吴倩倩
杭州电子科技大学
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杭州电子科技...
作者
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赵伟立
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张海鹏
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吴倩倩
18篇
刘怡新
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汪洋
18篇
孔令军
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齐瑞生
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许生根
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苏步春
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徐丽燕
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刘国华
1篇
徐文杰
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张亮
年份
2篇
2013
6篇
2012
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2011
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具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOI LIGBT器件...
张海鹏
齐瑞生
刘怡新
吴倩倩
孔令军
汪洋
赵伟立
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区,p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏
齐瑞生
汪洋
赵伟立
刘怡新
吴倩倩
孔令军
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具有p埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作SOILIGBT器件,纵向耐压靠具...
张海鹏
齐瑞生
赵伟立
刘怡新
吴倩倩
孔令军
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一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底,p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区,轻掺杂漂移区顶部两侧分别设置p型...
张海鹏
许生根
赵伟立
刘怡新
吴倩倩
孔令军
汪洋
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具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向...
张海鹏
许生根
刘怡新
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孔令军
汪洋
赵伟立
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具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有P埋层的SOInLDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的SOInLDMOS器件严重影响了器件的耐压性能,而且影响了器件的散热。本发明通过采用具有P埋层的SOI厚膜材料上经过九次光刻,制造具有P埋层的...
张海鹏
许生根
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一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区,p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏
齐瑞生
汪洋
赵伟立
刘怡新
吴倩倩
孔令军
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOILIGBT器件,纵向...
张海鹏
齐瑞生
刘怡新
吴倩倩
孔令军
汪洋
赵伟立
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具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型在隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底,p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区,轻掺杂漂移区顶部两侧分别...
张海鹏
许生根
赵伟立
刘怡新
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孔令军
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区;n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓...
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