胡俊涛
- 作品数：58 被引量：56H指数：5
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术环境科学与工程一般工业技术更多>>
- 一种用于真三维体积式立体显示系统中的显示数据传输方式
- 本发明公开了一种用于真三维体积式立体显示系统中的显示数据传输方式，属于光电显示器件领域，包含有通过计算机系统显卡DVI接口传输立体显示数据，传输的立体显示数据是编码的800×600每帧的体素信息，通过将体素信息写入显卡的...
- 胡跃辉吕国强冯齐斌方勇陆红波高伟清胡俊涛杨军
- 文献传递
- Bphen掺杂Cs2CO3作为电子传输层对OLED器件性能的影响被引量：5
- 2015年
- 为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件,采用25nm的Bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。
- 胡俊涛程群余承东杨劲松梅文娟陆红波王洁然
- 关键词：电子传输层OLED
- 基于偏振分光镜的透视式头盔显示器
- 设计了一种新颖的透视式头盔显示器，其特点是在合成器中采用偏振分光镜替代通常所用的普通分光镜。通过转动半波片方位角改变光的偏振方向能够调节图像亮度。使头盔显示器在白天和夜晚均可工作。理论上，在单一和组合型的合成器中，分别使...
- 高伟清吕国强冯奇斌胡俊涛陆红波胡跃辉
- 关键词：头盔显示器成像系统图像亮度
- 文献传递
- 一种无透镜同轴全息穆勒矩阵成像系统及成像方法
- 本发明公开了一种无透镜同轴全息穆勒矩阵成像系统及成像方法，系统包括光源、偏振态发生器、偏振态分析器、图像传感器，偏振态发生器、偏振态分析器结构对称，都由线性偏振片、两个液晶相位延迟器构成，待测样品置于偏振态发生器、偏振态...
- 方勇李进晔李伟胡俊涛
- 一种基于深度学习的寄生虫卵偏振分类方法
- 本发明公开了一种基于深度学习的寄生虫卵偏振分类方法，包括以下步骤：步骤1、获取寄生虫卵的穆勒矩阵图像；步骤2、对寄生虫卵的穆勒矩阵图像进行分解得到散射退偏图像作为数据集；步骤3、生成深度学习网络模型ResNet‑34，将...
- 方勇李伟胡俊涛
- 基于多种神经网络融合的空气质量预测方法
- 本发明公开了一种基于多种神经网络融合的空气质量预测方法，CNN卷积神经网络提取并筛选出输入时序数据的主要特征，降低数据维度，再经过BiLSTM双向长短期记忆神经网络以及GRU门控循环单元网络层的学习，再经过反归一化，最终...
- 胡俊涛陈一源王威丁文科张士诚崔灿方勇
- 基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法
- 本发明公开了一种基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法，通过在fac‑Ir(ppy)<Sub>3</Sub>的相邻层交替插入CBP和B3PyMPM薄层，在CBP/B3PyMPM异质界面之间形成多量子阱结构...
- 胡俊涛王玉乐韩超磊黄叶蒋浩罗派峰方勇
- 有机酸修饰ITO对OLED器件性能的影响被引量：1
- 2017年
- 分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4cd/m2提升至1 875.2cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V。研究发现,有机酸处理能够改变ITO的表面能和功函数,一方面改变ITO和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ITO与有机层间的势垒,提升载流子注入。这种用有机酸修饰ITO阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ITO和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用。
- 胡俊涛杨劲松冯鹏梅文娟牛永鹏
- 关键词：ITO有机酸表面能功函数OLED
- 溶液法制备SimCP:FIrpic掺杂的蓝色磷光器件被引量：6
- 2015年
- 文章以小分子材料SimCP作为发光主体,通过溶液法制备了掺杂铱配合物FIrpic的蓝色磷光有机发光二极管,并分别从发光层的溶剂和FIrpic掺杂浓度两方面研究了其对器件发光效率和光谱特性的影响。实验结果表明,选用高沸点、低挥发性的氯苯作为溶剂制作的器件,相比以二氯甲烷作溶剂的器件,开启电压降低到只有6V,且发光光谱的主峰位置由492nm处转移到468nm处,更偏蓝色;客体FIrpic掺杂浓度越小,492nm处的发光强度越弱,而468nm处的主峰相对增强;但浓度过小会使能量转移不充分,在400nm处出现新的发光峰,过大则造成浓度淬灭。当SimCP∶FIrpic比例为12∶1时,器件性能最佳,开启电压4.2V,最大亮度3060cd/m2。
- 胡俊涛宗艳凤邓亚飞程群
- 关键词：溶剂
- C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
- 2020年
- 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。
- 黄玲玲陈幸福胡鹏胡鹏王向华李博
- 关键词：苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩结晶度迁移率有机薄膜晶体管
