公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

溅射制备Ge，Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜被引量：2: 2012年; 采用射频磁控溅射技术制备了Ge,Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO_2薄膜,详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge,Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化,发现Ge,Nb共掺杂可以同时调节TiO_2薄膜的光学带隙和电阻率.体积分数约为6%Nb和20%Ge的共掺杂TiO_2薄膜电阻率由10~4Ω/cm减小至10^(-1)Ω/cm,光学带隙由3.2 eV减小至1.9 eV.退火后掺杂TiO_2薄膜不仅显示更低的电阻率,还表现出更强的可见-红外光吸收.结果表明,改变Ge,Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO_2薄膜.; 罗晓东狄国庆; 关键词：电阻率光学带隙磁控溅射

全选清除导出

共1页<1>

罗晓东