盛斌
- 作品数：9 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 高温原位XAFS研究NiB纳米非晶态合金催化剂的结构
- 2002年
- 原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明：在78K时，NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2．06A、396．4，其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25％左右；300K时，第一配位峰的位置和强度分别2．08A、255．9；573K时，第一配位峰的位置和强度分别为1．87A、155．4。温度从78K升至300K，第一配位峰的位置变化不大，但峰强度降低35％左右：温度继续升至573K时，峰的位置较78K的向小的方向移动0．20A，并且强度降低了60％。这表明随着测量温度的升高，NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显著增加。
- 韦世强刘文汉闫文胜孙治湖范江玮杨宏伟姜政钟文杰陈栋梁谢治贺博盛斌李征蒋黎陈欧
- 关键词：温度
- 真空紫外硅闪耀光栅的制作被引量：4
- 2010年
- 利用单晶硅在KOH溶液中的各向异性刻蚀特性,在相对Si(111)面切偏角为5°的单晶片上制作了1200gr/mm的真空紫外闪耀光栅。结合全息干涉曝光以及光刻胶灰化技术,在单晶硅表面得到了小占宽比的高质量光刻胶掩模,用湿法刻蚀将光栅掩模图形转移到单晶硅表面的天然氧化层上,并将其作为硅各向异性湿法刻蚀的掩模,成功获得了接近于理想锯齿槽形的闪耀光栅。用原子力显微镜分析光栅闪耀面,结果表明其表面均方根粗糙度约为0.2nm。在真空紫外波段对其进行衍射效率测量,发现光栅在135nm波长处显示出良好的闪耀特性。此方法可以应用于真空紫外和软X射线波段的光栅制作,在获得较高的槽形效率的同时,可以大大减少其制作难度及成本。
- 盛斌徐向东刘颖洪义麟付绍军
- 关键词：闪耀光栅单晶硅真空紫外掩模
- 提高多层介质膜脉宽压缩光栅阈值的清洗方法(英文)被引量：6
- 2012年
- 采用HPM溶液(盐酸、双氧水和去离子水的混合液)结合氧等离子体对多层介质膜脉宽压缩光栅进行清洗研究。用X射线光电子能谱检测光栅表面的元素成分及其原子含量的变化。实验结果表明,氧等离子体处理能有效去除光栅表面残留光刻胶和碳氟化合物;再经HPM溶液清洗,反应离子束刻蚀和氧等离子体处理过程产生的金属污染物被进一步去除。经过上述清洗工艺处理后,光栅一级衍射效率仍保持在95%以上,光栅表面激光诱导损伤阈值达到1.6J/cm2(1053nm,10ps)。实验结果说明了氧等离子体和HPM溶液相结合能有效清洗多层介质膜脉宽压缩光栅,并显著提高光栅损伤阈值。
- 陈上碧盛斌邱克强刘正坤徐向东刘颖洪义麟付绍军
- 离子束溅射沉积Ir膜真空紫外反射特性研究
- 2009年
- 根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.采用离子束溅射沉积技术,在石英、K9玻璃和Si基片上沉积了不同厚度的Ir膜,研究了基片、表面厚度、离子束能量及镀后热处理对Ir膜反射率的影响,在波长120nm处获得了近30%正入射反射率.
- 干蜀毅刘正坤盛斌徐向东洪义麟刘颍周洪军霍同林付绍军
- 关键词：离子束溅射
- 利用天然氧化层掩模的真空紫外硅闪耀光栅的湿法刻蚀制作
- 本文首先概括了闪耀光栅的历史，特点与分类;介绍了制作非对称锯齿彤闪耀光栅的各种方法，突出介绍了近些年出现的新技术、新工艺和一些振奋人心的成果;着重介绍了基于硅各向异性刻蚀制作闪耀光栅的原理、最新进展和相比其他技术所独有的...
- 盛斌
- 关键词：真空紫外单晶硅闪耀光栅湿法刻蚀各向异性掩模
- 大尺寸衍射光学元件的扫描离子束刻蚀被引量：7
- 2012年
- 总结了大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀技术的研究进展。针对自行研制的KZ-400离子束刻蚀装置,提出了组合石墨束阑结构和多位置分步刻蚀策略来提高离子束刻蚀深度的均匀性,目前在450mm尺寸内的刻蚀深度均匀性最高可达±1%。建立了针对多层介质膜光栅的衍射强度一维空间分布在线检测系统以及用于透射衍射光学元件离子束刻蚀深度的等厚干涉在线检测系统,实现了对大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀终点的定量、科学控制,提高了元件离子束刻蚀工艺的成功率。利用上述技术,成功研制出一系列尺寸的多层介质膜光栅、光束采样光栅、色分离光栅以及同步辐射光栅等多种衍射光学元件。
- 邱克强周小为刘颖徐向东刘正坤盛斌洪义麟付绍军
- 关键词：衍射光学元件离子束刻蚀刻蚀深度在线检测
- HfO_2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的Piranha溶液清洗被引量：4
- 2011年
- 为了提高HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅(PCG)的抗激光损伤性能,使用Piranha溶液(浓硫酸和双氧水的混合液)清洗PCG去除其制作工艺和使用过程中残留在表面的污染物,包括CHF3作为工作气体对HfO2进行反应离子束刻蚀生成的碳氟化合物及金属氟化物。对Piranha溶液的清洗温度、组成成分、清洗时间、清洗遍数等参数进行了系统研究,用扫描电子显微镜(SEM)观察清洗前后的PCG表面形貌,用X射线光电子能谱仪(XPS)检测清洗前后PCG表面的元素成分及其原子分数的变化,并分析了各残留污染物的去除机理。实验结果表明:Piranha溶液能有效去除PCG表面污染物,而且清洗温度越高,清洗遍数越多,对PCG表面残留污染物的去除效果越显著。在90℃下60min有效活性时间内,使用浓硫酸和双氧水体积比为2∶1的Piranha溶液清洗3遍以上,PCG表面残留的F元素的原子分数接近0.1%(XPS的分辨极限),达到良好的清洗效果。
- 陈上碧盛斌邱克强刘正坤徐向东刘颖洪义麟付绍军
- 关键词：污染物扫描电子显微镜X射线光电子能谱
- SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究被引量：3
- 2005年
- Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。
- 王科范盛斌刘金锋徐彭寿潘海滨韦世强
- 关键词：GE量子点SIO2薄膜SI(111)
- 电子束蒸发沉积Ir膜真空紫外反射特性被引量：3
- 2008年
- Ir是一种重要的真空紫外反射材料,在太阳物理、宇宙物理、生命科学、大气物理、同步辐射等方面有着十分重要的应用。对电子束蒸发沉积Ir膜在真空紫外波段的反射特性进行了系统的理论和实验研究。根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算。根据计算和前期实验结果,采用电子束蒸发方法,在石英、K9玻璃基片上沉积了不同厚度的Ir膜,在入射波长120 nm处获得了近30%正入射反射率,对应的Ir膜厚度为12 nm。过厚或过薄均不利于Ir膜反射率的提高。经退火处理后,Ir膜中张应力有所释放但并未消除,同时晶粒平均尺寸显著增大,反射率下降。
- 干蜀毅刘正坤盛斌徐向东洪义麟刘颍周洪军霍同林付绍军
- 关键词：薄膜光学电子束蒸发
