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王蕴玉

作品数:19 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信生物学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇生物学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇正电子
  • 14篇正电子湮没
  • 3篇湮灭
  • 3篇氨酸
  • 3篇半导体
  • 3篇NA
  • 2篇亮氨酸
  • 2篇磷化铟
  • 2篇INP
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电
  • 1篇电子结构
  • 1篇电阻器
  • 1篇丁酮
  • 1篇亚甲兰
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌陶瓷
  • 1篇有机导体
  • 1篇宇称

机构

  • 19篇中国科学院
  • 3篇北京大学
  • 2篇吉林大学
  • 2篇中国高等科学...
  • 1篇华侨大学
  • 1篇河北工学院
  • 1篇中国科学院金...
  • 1篇中国科学院福...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 19篇王蕴玉
  • 9篇郭应焕
  • 7篇黄懋容
  • 7篇杨巨华
  • 5篇何永枢
  • 3篇顾华
  • 3篇王文清
  • 2篇许大鹏
  • 2篇苏文辉
  • 2篇曹惠民
  • 2篇隋郁
  • 2篇赵健
  • 2篇张仁武
  • 1篇郑凡磊
  • 1篇林成天
  • 1篇马建国
  • 1篇孙同年
  • 1篇林建明
  • 1篇林峰
  • 1篇赵钟涛

传媒

  • 5篇核技术
  • 4篇科学通报
  • 2篇高能物理与核...
  • 2篇高压物理学报
  • 2篇核化学与放射...
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1988
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用激光诱导产生^1O2的正电子湮没研究
1998年
用正电子素o-Ps研究以亚甲兰为光敏剂在甲酸和水体系中激光诱导单态氧 ̄1O_2的形成。理论推导了o-Ps湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系。
王蕴玉张仁武郭应焕杨巨华
关键词:正电子素激光诱导光敏剂亚甲兰
水结构的正电子湮没研究被引量:2
1998年
正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰和水具有相同的电子结构。由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成水分子集团,这个基团在范德瓦尔斯色散力的作用下生成宏观水。水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果,与水的能态图相一致,而且得到了原子力显微镜(AFM)对水层结构观测的支持。
郭应焕张仁武王蕴玉杨巨华黄懋容
关键词:正电子电子结构
掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
1990年
本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
黄懋容何永枢顾华王蕴玉张乐潓林成天刘海润
关键词:正电子湮没钆镓石榴石晶体
非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究被引量:2
1995年
通过测量不同温度下退火的非品合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe73.5Cu1Nb1.5Mo1.5Si13.5B9的正电子湮没寿命谱,配合X射线衍射分析,研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明,非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没寿命值随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫、局域品化和完全晶化阶段。
刘涛赵钟涛马如璋郭应焕曹惠民王蕴玉
关键词:非晶态合金正电子湮没
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
1996年
用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型。
黄懋容王蕴玉杨巨华何永枢郭应焕孙同年
关键词:正电子湮没半导体磷化铟
金属中传导电子有效质量的正电子湮没2γ辐射能谱法测定
1994年
传导电子的运动状态决定金属的热学和电学特征.由于传导电子和原子实之间存在强关联,因而确定运动状态的质量不是电子的惯性质量m_e而是它的有效质量m~*,而且m~*是一个二阶张量.m~*通常用dHvA(de Has-van Alphen)效应测量,需要低温(~0.5K)和强磁场(~10T)等复杂技术.我们采用正电子(e^+)
郭应焕王蕴玉
关键词:金属传导电子
光学活性起源的研究——Ⅴ.^(22)Na的正电子湮没与D-、L-、D,L-亮氨酸的不对称作用研究被引量:5
1993年
利用正电子湮没测定技术,研究^(22)Na的β^+粒子对D-、L-、D,L-亮氨酸的不对称作用。实验发现β^+粒子(右旋电子)作用于亮氨酸异构体,三重态正电子素(o-Ps)优先在L-亮氨酸中形成。这一实验说明基本粒子的手征不对称,通过电弱作用力对氨基酸对映体立体有择,在原初状态(Prima-ry State)可被灵敏探针检测到。
王文清赵健王蕴玉
关键词:正电子湮没亮氨酸宇称不守恒
掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
1991年
本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。在附色的KCl晶体中存在明显的F心。S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响。此外还对掺Na^+的KCl单晶正电子湮没机制进行了讨论。
黄懋容顾华王蕴玉何永枢杨巨华林建明许承晃
关键词:KCL正电子湮没掺杂
用正电子湮没方法研究有机导体
1988年
本文测量一些新的复合物型有机导体中正电子湮没的寿命谱,线形参数和3γ湮没的相对产额.结果表明,在电荷完全转移的绝缘体和电荷部分转移的导体中.
王蕴玉周光明朱道本
关键词:正电子湮没有机导体离域顺磁性正电子源粒子源
正电子湮没寿命谱分析的快速傅里叶变换解法
1994年
对以离散数据形式表达的正电子湮没寿命谱、用快速傅里叶变换方法转换为频谱形式,使得分析结果直观、可靠。谱中每个真峰代表一种成分,峰位对应于湮没率,峰面积正比于该成分的强度。对该方法原理进行了详尽的阐述,充分考虑了仪器分辨函数和计数统计涨落的影响。在ALR-286微机上用TURBO C语言编写了相应的解谱程序,对计算机模拟的正电子湮没寿命谱进行的分析均达到预想结果。该方法具有原理简单、解谱速度快、不需预先设定成分参数、降低了仪器分辨函数的影响等特点。
马建国郭应焕王蕴玉
关键词:正电子湮灭谱分析傅氏变换
共2页<12>
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