王良建
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 等离子喷涂层的断裂力学性能测试研究
- 1992年
- 应用单边缺口三点弯曲(SEN)、双悬臂梁法(DCB)和短棒法(SB)三种测试技术研究等离子喷涂ZrO_2陶瓷和WC-Co金属陶瓷涂层的临界应变能释放率G_(IC),测定了各方法的柔度标定试验计算公式,得出WC-Co类涂层G_(IC)高于ZrO_2类,内聚型(Cohesive)断裂的G_(IC)高于粘着型(Adhesive)断裂的G_(IC),粉末粒度细、涂层孔隙度低、裂纹少的涂层均使G_(IC)提高,显示G_(IC)对涂层显微结构特征变化较常用的拉伸粘着强度试验法敏感。认为DCB法和SB法有较为严格的理论基础,SB法测定简单易行,数据集中,能敏感地反映断裂类型的特征;DCB法可于一根试样测出多个G_(IC)值,有利于对涂层性能进行统计可靠性评价。涂层断裂力学研究可为选择粉末、优化涂层工艺和指导涂层设计提供主要依据。
- 王良建郭大展
- 关键词：等离子喷涂
- 氮化硅陶瓷冲蚀磨损特性研究
- 郭大展王良建
- 关键词：氮化硅陶瓷耐磨材料
- 氮化硅陶瓷冲蚀磨损特性研究被引量：3
- 1995年
- 对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷进行冲蚀磨损和断裂韧性测定，对磨损表面和断口进行扫描电镜观察。结果表明：压痕断裂是热压烧结Ｓｉ３Ｎ４产生冲蚀的控制机制；Ｓｉ３Ｎ４的冲蚀率ＥＶ与断裂韧性ＫＩＣ有强烈的依赖关系，随ＫＩＣ的增高冲蚀抗力迅速增高，即ＥＶ∝ＫＩＣ＾ｎ，ｎ值变动于－７．０￣－４．４之间；依磨粒硬度ＨＥ和Ｓｉ３Ｎ４硬度Ｈ的比值和ＫＩＣ的大小可以评价Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的抗冲蚀特性；
- 郭大展王良建李汾兰
- 关键词：氮化硅陶瓷磨损韧性陶瓷
- 低铬白口铸铁的冲蚀磨损与断裂韧性被引量：1
- 1993年
- 通过稀土硅铁合金炉前孕育和热处理工艺改善碳化物形态分布及基体组织的强韧性,从而获得性能较为优越的低铬白口铸铁,对其进行断裂韧性测定和较系统的冲蚀磨损试验.结果表明:孕育处理使碳化物由连续网状分布转变为断续网状分布,同时细化了晶粒,导致断裂韧性K_(IC)的提高;并改善其冲蚀抗力;且表现为磨料越硬效果越显著,说明磨料硬度对低铬白口铸铁冲蚀抗力有显著影响:当磨料为较软的玻璃砂时,冲蚀抗力随材料基体硬度的提高而提高;当磨料为硬的碳化硅时,冲蚀抗力随断裂韧性K_(IC)的提高而提高;当材料硬度相近时,则断裂韧性越高,越耐冲蚀.文中结合冲蚀断口的扫描电镜观察及残留奥氏体转变量的X射线测定对试验结果及冲蚀机理进行了分析讨论.
- 郭大展王良建李锦章
- 关键词：白口铁耐磨性冲刷磨损断裂韧性
- 脆性材料的固体粒子冲蚀磨损
- 王良建
- 部份稳定化氧化锆陶瓷的冲蚀磨损和断裂的研究被引量：2
- 1992年
- 用石英砂、碳化硅的两种磨粒对成分相同但处理成亚稳态四方相(T)含量不同从而断裂韧性K_(Ic)不同的两种氧化镁稳定的部分稳定化氧化锆(Mg-PSZ)陶瓷进行了冲蚀磨损试验,测定其断裂韧性.用X-射线衍射法测定K_(Ic)断口与冲蚀表面的T相转变量,并对断口及单颗粒和多颗粒冲蚀表面进行电子显微观察.结果表明,石英砂冲蚀主要依压痕、侧向裂纹的方式发生,而碳化硅冲蚀则依切入导致块状断裂及特殊的碎化断裂发生;碳化硅产生的冲蚀率明显大于石英砂;四方相向单斜相转变对PSZ材料的冲蚀抗力有贡献,PSZ材料冲蚀的速度指数m较低;两种Mg-PSZ的K_(Ic)值有相当的差别,其冲蚀抗力虽有改善,但不很显著。
- 郭大展王良建
- 关键词：氧化锆陶瓷磨损
