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各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法: 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调...; 余天王文秀韩秀峰; 文献传递

复合吸波材料及其制备方法: 本发明提供一种复合吸波材料，该材料包括金属磁纳米材料和基体材料；所述金属磁纳米材料均匀分散到基体材料中。本发明还提供了一种复合吸波材料制备方法，包括1)制备金属磁纳米材料；2)将金属磁纳米材料均匀分散到基体材料中制成涂料...; 王文秀张佳刘东屏韩秀峰; 文献传递

用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法: 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜，形成的器件质量轻，且制...; 王云鹏王文秀刘东屏韩秀峰

高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究: 2018年; 1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿磁电阻(TMR)效应提高至~20%,达到了可实用化程度,并在2004年进一步将MgO势垒磁性隧道结的室温TMR比值提高至TMR^200%左右,大大促进了TMR器件的广泛开发和应用.迄今为止,计算机TMR磁读头使得磁硬盘(HDD)磁记录密度达到了~1000 Gb/in2的量级;每年产值300~400亿美元的磁硬盘(HDD)市场已持续发展了20年.GMR和TMR磁读头本身就是两种有相对高灵敏度和低噪声磁敏传感器,并且已经在计算机和各种磁传感工业、民用、航空航天等领域大规模成功应用了20年.; 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰; 关键词：隧穿磁电阻磁敏传感器磁性隧道结芯片

用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法: 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜，形成的器件质量轻，且制...; 王云鹏王文秀刘东屏韩秀峰; 文献传递

各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法: 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调...; 余天王文秀韩秀峰; 文献传递

一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器: 本发明提出一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器，包括：栅极、源极和漏极；被设置用于在所述源极和漏极之间形成导电沟道的半导体层；和位于所述半导体层与所述栅极之间的栅极介质层；其中该栅极介质层包括第一、第二和第三部分，其中所述...; 韩秀峰于国强王文秀骆军张晓光; 文献传递

微波复合材料及其制备方法: 本发明提供一种微波复合材料，该微波复合材料由铁磁材料的纳米磁体和有机材料复合而成，所述纳米磁体分布在所述有机材料中，所述铁磁材料的纳米磁体的尺寸大于所述铁磁材料的室温超顺磁临界尺寸，所述有机材料的电阻率大于1Ωcm。本发...; 王文秀周文平王云鹏韩秀峰; 文献传递

高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用基础研究: 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰; 近年来，随着物联网、智能电网和人工智能的快速发展，国内传感器产业将迎来一个黄金时期。基于隧穿磁电阻(TMR)效应的新型磁敏传感器，由于其高性能、高可靠、低功耗和微型化等优点，在高端应用领域正逐步取代传统的低灵敏度磁性传感...; 关键词：; 关键词：磁敏传感器磁性纳米线芯片设计

一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器: 本发明提出一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器，包括：栅极、源极和漏极；被设置用于在所述源极和漏极之间形成导电沟道的半导体层；和位于所述半导体层与所述栅极之间的栅极介质层；其中该栅极介质层包括第一、第二和第三部分，其中所述...; 韩秀峰于国强王文秀骆军张晓光

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王文秀