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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇
  • 1篇低压
  • 1篇电场
  • 1篇电场强度
  • 1篇中介
  • 1篇挖孔
  • 1篇机械性能
  • 1篇剪切强度
  • 1篇键合
  • 1篇硅片
  • 1篇硅片键合
  • 1篇仿真
  • 1篇PIN探测器
  • 1篇SN
  • 1篇场强
  • 1篇超薄

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇北京信息科技...
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 3篇王少南
  • 2篇于民
  • 2篇胡安琪
  • 1篇石宝华
  • 1篇朱智源
  • 1篇金玉丰
  • 1篇缪旻
  • 1篇刘宏智
  • 1篇杨兵

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 3篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
超薄硅PIN探测器工艺与性能研究
随着航天事业的发展,空间辐射探测的重要性越来越突出。以超薄PIN探测器和厚探测器组成的望远镜系统在粒子种类鉴别领域应用广泛,同时超薄PIN探测器具有体积小、结构简单、性能好、可靠性高等优点,这使得超薄PIN探测器成为核辐...
王少南
关键词:漏电流机械性能
硅条形探测器条间距优化的模拟研究
2014年
由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测器工作性能的影响,其模拟结果表明较小的间距可以减小体内电场强度和体内漏电流,有助于提高探测器的电学性能。
刘宏智杨兵于民王少南胡安琪石宝华杨昉东
关键词:电场强度漏电流仿真
采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究被引量:1
2014年
研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。
朱智源于民胡安琪王少南缪旻陈兢金玉丰
关键词:低压剪切强度
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