您的位置： 专家智库 > >

王天明

作品数：3 被引量：16H指数：2
供职机构：东北大学钢铁冶金系更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 3篇碳化硅
  • 3篇耐火
  • 3篇耐火材料
  • 2篇晶须
  • 1篇原位生长
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇碳化硅晶须
  • 1篇添加剂
  • 1篇温度
  • 1篇铝碳质
  • 1篇机械性能
  • 1篇复合耐火材料
  • 1篇SIC
  • 1篇SICW
  • 1篇SIC晶须
  • 1篇AL

机构

  • 3篇东北大学
  • 1篇辽宁科技大学

作者

  • 3篇王天明
  • 2篇邹宗树
  • 2篇窦叔菊
  • 1篇陈卫武
  • 1篇李殷泰
  • 1篇蔡锡年

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇东北大学学报...
  • 1篇炼钢

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
Al_2O_3-C制品中SiCW的形成及其对机械性能的影响被引量：2
1997年
通过实验研究了加入特殊硅、膨胀石墨对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的影响．测定了其常温耐压和高温抗折强度．结果表明，加入特殊硅及膨胀石墨可使ＳｉＣ晶须发育得更好，并且通过正交设计计算出了添加剂的最佳用量为：１．５％特殊硅和０．
王天明邹宗树李殷泰窦叔菊
关键词：耐火材料三氧化二铝碳化硅机械性能
添加剂及温度对Al_2O_3－C质耐火材料中SiC晶须形成的影响被引量：4
1996年
通过实验研究了加入特殊硅，活性炭等及温度对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的影响。结果表明，加入特殊硅及活性炭可使ＳｉＣ晶须发育得更好，并且Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的适宜温度应在１２００℃＜Ｔ＜１４００℃之间。
王天明邹宗树李殷泰蔡锡年窦叔菊
关键词：耐火材料碳化硅晶须添加剂温度
SiC_w在Al_2O_3-C复合耐火材料中的原位生长被引量：13
1998年
通过引入金属Ｓｉ和活性Ｃ对ＳｉＣ晶须在Ａｌ２Ｏ３－Ｃ复合耐火材料中的原位生长进行了实验研究，利用ＳＥＭ结合电子探针（ＥＰＭＡ）研究了ＳｉＣｗ在Ａｌ２Ｏ３－Ｃ复合耐火材料中的原位生长机理，提出了液－固生长机理，并讨论了其热力学和动力学条件．
陈卫武邹宗树王天明王自强
关键词：铝碳质耐火材料碳化硅晶须原位生长
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0