您的位置： 专家智库 > >

滕腾

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇磷化铟
  • 3篇晶体管
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇双频
  • 2篇双频带
  • 2篇双异质结
  • 2篇双异质结双极...
  • 2篇太赫兹
  • 2篇频带
  • 2篇频点
  • 2篇谐振环
  • 2篇宽带设计
  • 2篇赫兹
  • 2篇DHBT
  • 2篇INP基
  • 2篇超材料
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇湿法腐蚀

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 6篇滕腾
  • 5篇孙浩
  • 4篇徐安怀
  • 4篇艾立鹍
  • 4篇齐鸣
  • 3篇孙晓玮
  • 2篇贺连星
  • 2篇朱福英
  • 2篇李彪
  • 1篇王伟
  • 1篇钱蓉
  • 1篇李凌云

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料
本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设...
贺连星孙晓玮郭万易李彪滕腾孙浩张祁莲
一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料
本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设...
贺连星孙晓玮郭万易李彪滕腾孙浩张祁莲
文献传递
双异质结双极晶体管结构
本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟...
孙浩孙晓玮艾立鹍滕腾王伟李凌云钱蓉徐安怀齐鸣
文献传递
GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT
利用气态源分子束外延生长了带有两种带有不同渐变基区结构的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管。组分渐变基区结构中,Ga组分从集电区一端的47％逐渐增加到发射区一端的55％。掺杂渐变基区结构中,Bc的掺杂浓度从集...
滕腾艾立鹍孙浩徐安怀朱福英齐鸣
关键词：磷化铟双异质结双极晶体管
文献传递
InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“ep...
周书星滕腾艾立鹍徐安怀齐鸣
关键词：高电子迁移率晶体管分子束外延生长
文献传递
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
2011年
介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。
孙浩齐鸣艾立鹍徐安怀滕腾朱福英
关键词：湿法腐蚀磷化铟
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0