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沈耀文: 作品数：15 被引量：38H指数：3; 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>; 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省教育厅科技项目更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

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LPE Ga_(1-x)Al_xAs中Al组分分布: 1979年; 用理想溶液模型简化计算了GaAlAs三元系在富Ga角的相图,用作图法确定降温过程中液相组分变化的沉积路程(简称DP线),分析了母液配方,外延温区和生长速率对外延层中分布的影响。; 沈耀文; 关键词：生长速率 AL GA

铜价态对Zns掺铜电子结构的影响被引量：5: 1998年; 本文使用LMTO－ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构，分析了两种不同铜价态的影响．结果表明：尽管两种情形下禁带中铜3d能级均靠近价带顶，但掺杂二价铜时发光中心的能级结构符合Schon－Klasens模型，而掺杂一价钢的结果支持Williams－Prener模型．; 张志鹏沈耀文黄美纯; 关键词：发光中心电子结构掺铜硫化锌

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性被引量：1: 1996年; 用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．; 沈耀文张志鹏陈龙海黄美纯; 关键词：电子结构超导电性

用局域密度泛函线性丸盒轨道原子球近似超元胞法计算(Ba_(1-x)K_x)BiO_3的Hopfield常数与T_c随组分x的变化被引量：1: 1992年; 用局域密度泛函线性丸盒轨道原子球近似(LDF-LMTO-ASA)超元胞法计算(Ba_(1-x)Kx)BiO_3特定组分x的电子结构,其中x=0.0,0.5,1.0三种组分由扩大1倍的元胞计算;x=0.25和0.75两种组分由扩大4倍的元胞计算,所得能带参数总态密度TDOS(E_F)、分波态密度PDOS(E_F)以及自洽晶体势V~ι(r),结合由实验测定的≈210K,按McMillan强耦合公式以及Gaspari-Gyorffy近似,分别计算各原子的Hopfield常数η_t,电声子耦合常数λ以及超导转变温度Tc随组分x的变化。计算结果λ≈1而Tc最大约10K,且随x变化缓慢。与实验结果对比似乎暗示,在(Ba_(1-x)K_x)BiO_3中除电声子机制外,随组分变化的复杂结构相变亦将起重要的作用。; 沈耀文黄美纯; 关键词：超导体高温超导性

TiN_x系统的电子结构及所关联的光学性质被引量：1: 2003年; 本文使用LMTO-ASA能带方法和超原胞方法计算了Ti-N系统中三个稳定相(α-Ti,ε-Ti2N和δ-TiN)的电子结构,然后通过将这三个稳定相作为样本并借助于统计超原胞方法,本文全面计算了TiNx系统的电子结构。在这基础上,我们又进一步计算了TiNx系统的联合态密度,并利用所得结果初步探讨了TiNx系统的光学性质。通过与金的联合态密度的比较,我们得到了当组分x在0.4至0.6范围内,TiNx镀膜表观上可呈现金黄色。; 张志鹏李书平林海沈耀文; 关键词：电子结构光学性质

Nb(C_(1-x)□_x)基态性质的LMTO-ASA超元胞计算: 1993年; 用LDF-LMTO-ASA超元胞法,以四倍于元胞的超元胞,以Nb_4C_4□_0,Nb_4C_3□_1,Nb_4C_2□_2Nb_4C_1□_3Nb_4C_0□_4为五种“样本”,结合任意组分x的伯努利分布,计算NbC_(1-x)的晶格常数a(x)、体模量B(x)、德拜温度θ_D(x)以及生成热(heat of for mation)△h(x)随x的变化,计算结果与实验数据相符。; 李俊达沈耀文黄美纯; 关键词：碳化物基态

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算被引量：17: 2002年; 用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 .; 沈耀文康俊勇; 关键词：GAN 杂质能级氮化镓 O 第一性原理

ZnS掺Mn的电子结构研究被引量：13: 2003年; 用自旋极化的LSD LMTO(Local Spin DensityLinearMuffin Tin OrbitalMethod)方法 ,对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超原胞模拟计算。在自洽收敛的条件下 ,先对纯ZnS调节计算参数 (原子球、空球占空比 ) ,使计算的带隙Eg=3.2 3eV ;然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg 中的相对位置 ,模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg 中的相对位置。计算结果表明 :( 1 )单个缺陷的杂质能级性质与配位场理论结果相符合 ,直接用杂质态密度来表示 ;( 2 )掺入杂质的浓度对杂质能级位置的影响不大 ,这与实验结果相一致。; 沈汉鑫沈耀文; 关键词：ZNS 杂质能级发光中心锰掺杂半导体纳米材料

计算混晶材料电子结构的超原胞统计法被引量：2: 1992年; 提出了计算赝二元系(A_(1-x)C混晶材料任意组分电子结构的超原胞统计法,接替代格点数n选择超元胞,计算B原子数n_从零到n的所有超原胞电子结构为“样本”,结合以混晶键合性质决定的统计分布确定系统的电子结构,以(Ba_(1-x)K_)BiO_3为例,计算了x=0.2至x=0.5电子结构随组分的变化,结果表明,x>0.5的超元胞是不稳定的,费米面处总态密度TDOS(EF)随x变大而增加,与实验结果一致。; 沈耀文黄美纯; 关键词：混晶电子结构