杨恢东
- 作品数：89 被引量：201H指数：8
- 供职机构：暨南大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型电致变色薄膜的制作方法
- 本发明属于电致变色无机薄膜技术，为电致变色薄膜的制作方法，步骤如下：洗净的透明导电材料置于磁控溅射腔室内，控制好溅射腔室的参数，控制好分子泵与真空溅射腔室之间的打通角度；对第一层膜生长的金属靶材进行预溅射处理，打开基片挡...
- 杨恢东夏锦辉李俊魁王菁彭斯冉张婧妍邵海平
- 文献传递
- 基于ARM11的嵌入式Web网络监控系统设计被引量：14
- 2011年
- 介绍了以基于最新ARM11体系结构的S3C6410处理器为核心的嵌入式Web网络监控系统的相关理论与可行性,并且以此为基础给出了一种创新的基于S3C6410处理器实现嵌入式Web网络图像与视频传输系统的解决方案。该方案首先论述了选择ARM11处理器的原因,并且重点介绍了采用S3C6410的优势,简要介绍了各种相关的集成模块。其次,对嵌入式开发采用Linux操作系统进行了仔细的分析,并且详细讲解了嵌入式Web服务器boa和cgi库的移植,为嵌入式Web网络监控平台的搭建和配置提供了思路。最后主要针对视频数据的采集接口V4l进行了分析,为编写视频数据采集应用程序提供了有益的参考。
- 唐永彬杨恢东
- 关键词：ARM11网络监控系统LINUX操作系统
- 基于ZigBee无线组网技术的企业能源管理信息采集系统
- 本实用新型公开了一种基于ZigBee无线组网技术的企业能源管理信息采集系统，系统包括耗能表、多个RS485转TTL模块、多个的ZigBee终端节点、多个ZigBee路由节点、用于网络的建议及管理的ZigBee协调器以及服...
- 杨恢东陈加润刘辉张翠媛
- 文献传递
- 一种新型的异质结太阳电池
- 本实用新型公开了一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本实用新型将透明导电氧化层与N型窗口层合二...
- 杨恢东张翠媛宋香荣夏锦辉王菁陈玉玲彭炳荣李俊魁
- 文献传递
- 基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法
- 本发明为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法，其中装置包括至少一个主机与多个从机，光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器，每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组，相邻四组光伏组件构...
- 杨恢东彭炳荣宋香荣李俊魁张翠媛王菁陈玉玲夏锦辉陈加润
- 文献传递
- 改进的周期主动频移式孤岛检测方法被引量：7
- 2016年
- 当在非检测区内电流扰动角和负载相角匹配时,基于周期交替电流扰动法可以有效地检测出孤岛现象。然而该方法存在注入扰动对输出电流的质量影响较大的缺点。结合一种改进的主动频移法,提出改进的周期主动频移式孤岛检测方法。该方法在相邻两个周期以不同的电流扰动方程作为参考电流波形,前一个周期中注入扰动使公共耦合点电压频率向上偏移,后一个周期使频率向下偏移。电网断电后,通过观察相邻周期公共耦合点电压频率差是否连续的正负交替变化来识别孤岛现象。经过理论分析和Matlab仿真验证,该方法可以准确地识别出非检测区内的孤岛效应,同时注入的扰动对输出电能质量影响很小。
- 杨恢东吴浪李心茹刘辉王河深
- 关键词：分布式发电孤岛检测
- 基于单片机的超长时间定时控制器研制被引量：2
- 2010年
- 用AT89C52单片机和串行时钟控制芯片DS1302组成的核心模块,实现了超长时间的定时控制。可广泛应用于用于不同用途的长达几年甚至几十年的定时开关,规律闭合开关,与固态继电器组合还可定时控制高压开关。本系统以串行时钟控制芯片DS1302作为系统的时钟源,用AT89C52单片机作为系统控制中心,另外包括LCD显示模块,按键控制调节模块,自动复位电路模块。
- 司尚卓杨恢东
- 关键词：单片机实时时钟
- 退火时间对GZO薄膜性能的影响
- 以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD 和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质...
- 顾龙杨恢东余松
- 关键词：ANNEALINGGZODCMAGNETRONSPUTTERING
- 微晶硅薄膜制备中等离子体功率的调制作用被引量：4
- 2007年
- 对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测表明,SiH4等离子体中特征发光峰ISiH、IHα、IHβ和IH/ISiH均随等离子体激发功率的增加而增大,并且变化趋势因功率区间的不同而异。由厚度与Raman光谱测量可知,随着等离子体功率的增加,μc-SiH薄膜的平均晶粒尺寸单调减小,而沉积速率与结晶体积分数则呈现出先增后减的变化,等离子体功率对薄膜的沉积速率与结构特征具有“调制作用”。光暗电导率测量进一步得到,μc-SiH薄膜的电导随等离子体功率增大而减小,暗电导率的变化与之相反,材料的光敏特性在较高功率条件下激剧恶化。研究结果表明,当前的沉积条件下,等离子体功率的优化值界于35-40W间。
- 杨恢东
- 一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池
- 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池。本发明通过热蒸发或热升华法，在衬底生长温度高于硒的固相与气相的相变温度点，即发生二次升华的条件下沉积，制得三方晶系硒薄膜；制备过程中，衬底生长温度为190℃～210℃...
- 沈凯鲍飞雄麦耀华杨恢东王新龙刘娇周逸良
