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杨广辉

作品数：7 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路模型
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元方法
  • 1篇元方法
  • 1篇相互作用
  • 1篇临界态
  • 1篇临界态模型
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇磁场

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 2篇杨广辉
  • 1篇焦玉磊
  • 1篇丘明

传媒

  • 1篇第八届全国超...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
功率MOSFET低温动态特性研究
随着硅基功率MOSFET工艺水平的不断提高，器件的性能指标有了很大的突破，如通态电阻已经低于100mΩ、击穿电压已经达到1500V左右，它们正越来越接近硅材料的理论极限值，进一步提高这些性能参数的难度变的越来越大，因此，...
杨广辉
关键词：功率MOSFET等效电路模型雪崩击穿
文献传递
HTS块材与磁场间相互作用估算方法研究
HTS块材电磁机构日趋复杂,为了实现系统结构和电磁设计的优化需要建立一种简单可靠的方法来估算系统内部的相互作用.描述HTS磁学特性通常采用热激活磁通跳跃、磁通流动等系列模型,用其描述相互作用各有优缺点.为此,本文实验测试...
杨广辉丘明肖玲焦玉磊郑明辉任洪涛
关键词：临界态模型有限元方法
文献传递
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共1页<1>
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