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8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
半导体器件综合系统的设计和优化器模块的实现
李钊
关键词:遗传算法优化器
一种驱动输出MOS管的自举电路
本发明属于电力电子技术领域,具体涉及一种驱动输出MOS管的自举电路。包括:方波发生电路、电流放大电路、隔直流通交流电路、驱动电压生成电路、功率管开通控制和输入过压保护电路、外部使能电路、输入电压调理电路。
韦清瀚李钊苗涛郑海华王奎
并行遗传算法在半导体器件综合中的应用被引量:1
2002年
将并行遗传算法应用于器件综合 ,研究了基于孤岛模式的遗传算法的实现 ,并分析了算法参数 ,尤其是迁移间隔 ,对演化性能的影响。并行遗传算法可以利用多个计算机的计算能力 ,在较少的演化代数里获得所需要的结果。
谢晓锋张文俊阮骏姚依李钊杨之廉
关键词:并行遗传算法半导体器件孤岛模式迁移
半导体器件建模与优化系统被引量:2
2003年
随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合 ,以得到所需要的器件 .通过一些实例对部分功能进行了说明 ,并和一些已有的系统进行了比较 .
谢晓锋鲁勇李钊阮骏姚依张文俊杨之廉
关键词:半导体器件遗传算法微粒群优化
应用遗传算法实现的MOS器件综合系统
2001年
为实现器件综合 ,即从期望的器件性能出发得到优化的器件设计参数 ,最关键的是要选用有效的优化搜索算法。文章将遗传算法应用于实现一个器件综合的原型系统 ,并通过对 FIBMOS器件的综合设计 ,验证了遗传算法和该器件综合原型系统的有效性。
李钊谢晓锋张文俊杨之廉
关键词:集成电路遗传算法
应用遗传算法实现MOS器件综合被引量:4
2002年
研究了将遗传算法应用于器件综合问题 ,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子 ,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响 .对
谢晓锋李钊阮骏姚依张文俊杨之廉
关键词:遗传算法MOS器件半导体器件
RANS/LES嵌入耦合方法研究
将RANS与LES结合起来发展非定常湍流模拟方法是当前条件下兼顾精度和效率的可行途径。本文对一种利用网格界面对RANS和LES进行显式分区并开展耦合计算的WE-RANS/LES方法进行了发展。从该方法的RANS部分、LE...
李钊
关键词:计算流体力学非定常流动
文献传递
MOS器件综合系统及其在器件分析中的应用
本文详细讨论了MOS器件综合系统的设计原理,即利用遗传算法作为核心的搜索算法,定义器件设计变量为遗传染色体,由多代的遗传操作得到综合结果.并利用本系统的综合结果分析了一个FIBMOS器件的参数对性能的影响.
谢晓锋李钊张文俊杨之廉
关键词:遗传算法设计原理
文献传递
共1页<1>
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