朱李安
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
- 1996年
- 本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
- 张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
- 关键词：光电阴极砷化镓
- GaAs／Ge的MOCVD生长研究被引量：5
- 1996年
- 用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ．讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和ＧａＡｓ－Ｇｅ界面的Ｇａ、Ｇｅ原子互扩散问题。
- 高鸿楷赵星何益民杨青朱李安
- 关键词：MOCVD砷化镓
- GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析
- 1996年
- 我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇａ俄歇信号比对光电灵敏度的影响，Ｃｓ源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果，激活出了１０００μＡ／ｌｍ的反射式光电阴极和５００μＡ／ｌｍ的透射式光电阴极。
- 孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵
- 关键词：光电阴极俄歇分析
- GaAs光阴极材料的液相外延被引量：2
- 1992年
- 利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。
- 张冰阳何益民朱李安张济康高鸿楷侯洵
- 关键词：砷化镓光阴极
- 富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长
- 1993年
- 本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_(1……x)Sb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。
- 张冰阳何益民朱李安侯洵
- 关键词：异质结液相外延生长锑化镓
- 透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究
- 1998年
- 本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用．首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs／GaAlAs、玻璃组成的光电阴极的材料特性；发展了用倒格子空间衍射图方法评价光电阴级组件晶体质量的方法．通过分析得知，衍射强度在倒格子空间沿。方向展宽主要起因于晶体中的嵌镶效应的增强．文中采用衍射动力学理论的计算方法并忽略初始条件，模拟后得到的曲线与衍射强度沿ω／θ方向的投影强度曲线符合的比较好．粘接良好的阴极样品表明，GaAs／GaAlAs晶格常数的变化基本上可以消除，但粘接引起的嵌镶效应的增强却不能完全消除．
- 米侃朱李安赛小峰张景文侯洵
- 关键词：光电阴极砷化镓
- 高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用被引量：1
- 1997年
- 用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同．本文以GaAS／AlGaAs为例，展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题．所得结果同样适用于其它半导体材料．
- 朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵
- 关键词：X射线衍射仪倒易空间半导体晶体
