曹青
- 作品数：24 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器被引量：1
- 2006年
- 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(Incarry-overeffect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量.器件的阈值电流从界面改善前的560mA减小到改善后的450mA,斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A,特别是单面最大输出功率已经从370mW增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA上升为1820mA.
- 曹玉莲廉鹏王青吴旭明何国荣曹青宋国峰陈良惠
- 关键词：增益阈值电流激光器
- AlGaInP高亮度发光二极管被引量：11
- 1999年
- 分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率，而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管，发光波长峰值在６０５ｎｍ，ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ，２０ｍＡ工作电流下，５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ，最大３０ｍｃｄ，平均工作电压１．９Ｖ，透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。
- 李玉璋王国宏马骁宇曹青王树堂陈良惠
- 关键词：发光二极管低压有机金属气相外延铝镓铟磷
- 高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器
- 为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为132...
- 季海铭曹玉莲杨涛马文全曹青陈良惠
- 关键词：量子点P型掺杂量子点激光器光通信温度特性
- 文献传递
- 半导体激光器相对强度噪声的实验研究被引量：3
- 2005年
- 建立了一套半导体激光器噪声测量系统用于生产测量和科学研究,其特点是简易,且兼容性大。用该系统对相关的半导体激光器(不同腔长,镀膜与不镀膜等)进行了测量研究,着重研究了镀膜与不镀膜的条件对激光器噪声特性的影响,发现镀膜后管芯一致性提高、受反馈影响增大。为实际生产提供了改进建议,即需要针对实际应用来精心选择端面镀膜的反射率,前端面镀膜反射率不能太低。
- 朱晓鹏甘巧强任刚宋国锋叶晓军孙永伟曹青陈良惠
- 关键词：半导体激光器相对强度噪声腔长镀膜
- AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析
- 2006年
- 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.
- 徐云李玉璋宋国峰甘巧强杨国华曹玉莲曹青郭良郭良
- 关键词：半导体激光器应变量子阱
- 微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析被引量：1
- 2005年
- 在650nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25mA时,输出功率达到0.4mW,最大功率可达1mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺,并分析了器件可能的失效机理.
- 宋国峰甘巧强瞿欣方培源高建霞曹青徐军康香宁徐云钟源杨国华陈良惠
- 关键词：近场光学半导体激光器
- 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法
- 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透...
- 林孟喆曹青颜庭静陈良惠
- 文献传递
- 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并...
- 徐云陈良惠李玉璋曹青宋国峰郭良
- 文献传递
- 离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)
- 2004年
- 用纯 Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率 6 5 0 nm实折射率 Al Ga In P压应变量子阱激光器 .对偏角衬底 ,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面 .制备的激光器条宽腔长分别为 4 μm和 6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为 10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为 4 6 m A,输出功率为 4 0 m W时仍可保持基横模 .10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为 1.4 W/ A和 1.1W/ A.
- 徐云曹青孙永伟孙永伟叶晓军侯识华郭良
- 一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置
- 本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上，调整晶片的方位，使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射，反射激光从小孔光阑返回；按同样的方法调节好另...
- 陈良惠郑婉华杨国华何国荣王玉平曹青郭良林学春
- 文献传递
