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徐玉睿

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：郑州大学更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学法
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔氧化铝
  • 2篇多孔氧化铝模...
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌结构
  • 2篇氧化铝模板
  • 2篇锌粉
  • 2篇硫粉
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化学法
  • 2篇光发射
  • 2篇复合结构
  • 2篇半导体
  • 2篇P-SI

机构

  • 7篇郑州大学

作者

  • 7篇徐玉睿
  • 6篇田永涛
  • 6篇李新建
  • 5篇赵晓峰
  • 4篇贾天世
  • 4篇王文闯
  • 2篇黄惜惜
  • 2篇张腊花
  • 2篇王新昌
  • 2篇程亮
  • 2篇王杰
  • 2篇王晓霞
  • 2篇王文闯
  • 1篇何豪
  • 1篇贺川
  • 1篇陈文丽
  • 1篇程萍

传媒

  • 2篇郑州大学学报...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种硫化镍纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5...
程亮田永涛赵晓峰贾天世徐玉睿王文闯李新建
文献传递
三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法
本发明属于复合结构制备技术领域，具体公开了一种三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法。首先将锌粉放入管式炉的中心加热区，将硫粉放在锌粉前方1~9cm处，衬底放在锌粉后方1~7cm处，再通入10~30sccm的氩气，...
张腊花贾天世王晓霞田永涛徐玉睿王文闯赵晓峰王杰黄惜惜李新建
文献传递
三维ZnO纳米结构的可控合成及其物性研究
随着纳米科学与技术的快速发展，ZnO纳米材料以其独特的光电性能在催化、激光、传感和光伏器件等方面得到了广泛的应用。材料的性能不仅取决于尺寸、结构、成分，还取决于其形貌和维度，因此控制ZnO纳米结构的尺寸、结构和形貌对其进...
徐玉睿
关键词：电学性能氧化锌
三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法
本发明属于复合结构制备技术领域，具体公开了一种三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法。首先将锌粉放入管式炉的中心加热区，将硫粉放在锌粉前方1~9cm处，衬底放在锌粉后方1~7cm处，再通入10~30sccm的氩气，...
张腊花贾天世王晓霞田永涛徐玉睿王文闯赵晓峰王杰黄惜惜李新建
一种硫化镍纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5...
程亮田永涛赵晓峰贾天世徐玉睿王文闯李新建
ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能被引量：3
2012年
通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件.
徐玉睿田永涛王文闯贺川陈文丽赵晓峰王新昌李新建
关键词：光致发光
ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性被引量：1
2011年
利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性，漏电流较小，4V时约为0．05mA．异质结理想因子偏高，1．86（0．5-2．25V）和5．92（在2．25-2．7V），主要原因可能ZnO纳米线阵列底与si之间存在较高的缺陷密度．提供了一种简单的合成ZnO阵列／p-Si异质结方法，不需要在si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂，同时结构具有较好整流性能，对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值．
程萍田永涛王文闯徐玉睿何豪王新昌李新建
关键词：异质结CVD法整流
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