您的位置： 专家智库 > >

彭盛华

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇等离子体
  • 4篇牺牲层
  • 3篇退火
  • 2篇掩模
  • 2篇外延层
  • 2篇量子阱混合
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇晶片
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇工艺过程
  • 2篇光刻
  • 2篇半导体
  • 1篇等离子
  • 1篇退火温度
  • 1篇氩等离子体
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇PL
  • 1篇氮

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇彭盛华
  • 5篇何建军
  • 4篇张欣
  • 1篇张欣

传媒

  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
等离子体诱导量子阱混合技术研究
量子阱混合技术是一种十分有效的实现多功能单片集成的技术。它通过在量子阱层附近引入缺陷，继而快速退火促进缺陷在量子阱层与垒层的组分相互扩散，达到改变能带结构的目的。与再生长技术和选择性生长技术相比，其工艺简单、并能十分有效...
彭盛华
关键词：波导结构
文献传递
氩等离子体诱导量子阱混合技术
2011年
研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机(ICP)的射频(RF)功率为480W、ICP功率为500W、处理时间为1min时,ICP处理过程中氩(Ar)等离子体对量子阱片的刻蚀深度小于牺牲层的厚度500nm,晶格缺陷将产生在牺牲层内.样品在纯氮气条件、不同温度下快速退火2min,缺陷扩散至量子阱层诱发量子阱混合.不同实验条件的样品PL光谱表明:随着退火温度和ICP功率的增加,量子阱片的光致发光谱(PL)峰值波长会发生显著的蓝移,分别在750℃和500W时趋于饱和;此时获得的蓝移为110nm,PL强度为原生片的55%,量子阱层仍保持了较好的晶格特性.
彭盛华张欣何建军
关键词：量子阱混合氩等离子体退火温度
一种量子阱混杂方法
本发明公开了一种量子阱混杂方法。首先在磷化铟衬底上生长包含量子阱区域的外延层，外延层表面包含一个非工作用途的牺牲层；经掩模层沉积、光刻、掩模层刻蚀工艺过程后用掩模保护局部区域的外延层，然后利用氮等离子体局部处理未被保护区...
何建军张欣彭盛华
一种量子阱混合方法
本发明公开了一种量子阱混合方法。利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，...
何建军张欣彭盛华
一种量子阱混杂方法
本发明公开了一种量子阱混杂方法。首先在磷化铟衬底上生长包含量子阱区域的外延层，外延层表面包含一个非工作用途的牺牲层；经掩模层沉积、光刻、掩模层刻蚀工艺过程后用掩模保护局部区域的外延层，然后利用氮等离子体局部处理未被保护区...
何建军张欣彭盛华
文献传递
一种量子阱混合方法
本发明公开了一种量子阱混合方法。利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，...
何建军张欣彭盛华
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0