张荣涛
- 作品数：13 被引量：17H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 纳秒激光加工生成网孔硅的发光
- 2010年
- 我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构,发现这些样品有增强的PL发光,且各样品的PL峰很相似。通过第一性原理计算,发现各种网孔结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型。
- 黄伟其蔡成兰孟祥翔刘家兴秦朝建王晓允张荣涛于示强
- 关键词：光致荧光多孔硅
- 多孔硅量子点中的电子局域态被引量：4
- 2009年
- 经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650—780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间长短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用Si O双键和Si—O—Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面Si O双键和Si—O—Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.
- 黄伟其王晓允张荣涛于示强秦朝建
- 彩虹全息图再现象效果的研究
- 2010年
- 分别研究了激光强度、光程、相干长度、缝宽和缝数、狭缝的位置、分束镜分束比和光栅条纹数以及曝光时间对彩虹全息图再现象的影响。用不同宽度的单缝、双缝和三缝作了实验拍摄,对再现象的光能量与色模糊给出理论分析,得到用双缝和三缝拍摄再现象更明亮的结论。适当的激光强度、相干长度及其光栅条纹超过1 000条/mm或分束镜分束比恰当时,彩虹全息图效果明显。与此同时,发现在同一全息图上能观察到透射和反射两个再现象,用共轭的理论解释这种现象。
- 黄伟其张荣涛侯丽梅张俊国姚桂珍刘文学
- 关键词：激光参数狭缝彩虹全息图
- 不同气体氛围下硅量子点的结构及其发光机理被引量：5
- 2011年
- 纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电子态分布.计算结果显示:当硅量子点表面被氮或氧钝化后,在带隙中能够形成几乎相同的局域电子态,这种局域电子态可以俘获来自导带的电子,从而形成亚稳态,这是PL发光增强乃至产生受激辐射的关键因素.
- 黄伟其吕泉王晓允张荣涛于示强
- 关键词：硅量子点
- 多孔硅激光(英文)
- 2008年
- 我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射发光(PL).实验中发现:该PL发光有明显的阈值表现和激光增强效应,证明该PL发光确实是光致受激发射.计算給出氧化界面态模型来解释该光致受激发光机理,其中Si=O和Si-O-S的键合可以产生氧化陷阱态,关键在于该氧化陷阱态与价带顶空穴态之间能够形成粒子数反转.为硅基上激光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.
- 黄伟其张荣涛王海旭金锋
- 关键词：光致荧光多孔硅
- 纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究
- 2011年
- 该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构,发现这些样品在700 nm波长附近均有增强的光致发光(Photoluminescence,PL),且各样品的PL峰很相似;经适当退火处理后,在某些样品上观察到随机受激发光.通过第一性原理计算,发现各种量子点结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型.
- 黄伟其蔡成兰刘家兴吕泉秦朝建王晓允张荣涛于示强
- 关键词：纳秒激光量子点光致荧光
- 硅基上低维结构的受激发光
- 2008年
- 用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用。
- 张荣涛王海旭秦朝建刘世荣
- 关键词：受激辐射
- 硅锗薄膜上量子点的受激发光被引量：2
- 2010年
- 脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720～800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化将导致受激发光峰有明显的红移现象。由傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析得到:SiGe合金上氧化层中的量子点同时含有Si=O和Ge=O双键结构,这种结构可以形成电子的局域陷阱态(或陷阱态的激子)。计算显示:在SiGe量子点中Ge=O双键可以减小半导体样品中价带和局域陷阱态之间的距离。这就解释了SiGe量子点受激发射的红移现象。
- 黄伟其吕泉张荣涛王晓允刘世荣秦朝建
- 关键词：受激发射红移
- 氧化纳晶硅的光致荧光(英文)
- 2009年
- 观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。
- 张荣涛侯丽梅王晓允于示强
- 关键词：界面态受激辐射
- 纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型
- 2009年
- 纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm^750nm波长之间,发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。
- 王晓允张荣涛于示强秦朝建
- 关键词：光致荧光多孔硅
