张汉
- 作品数：12 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法
- 一种在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO<Sub>3</Sub>外延...
- 付振尹志岗陈诺夫张兴旺吴金良张汉
- 文献传递
- 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
- 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电...
- 王彦硕陈诺夫白一鸣黄添懋陈晓峰张汉
- 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
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- 王彦硕陈诺夫白一鸣黄添懋陈晓峰张汉
- 文献传递
- 单光路量子效率测试系统
- 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处...
- 刘磊陈诺夫曾湘波张汉吴金良高福宝
- 文献传递
- 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
- 2010年
- 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗汪宇张汉应杰
- 关键词：多晶硅薄膜石墨快速热退火氧化锌
- 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
- 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅...
- 黄添懋陈诺夫施辉伟尹志岗吴金良王彦硕汪宇张汉
- 文献传递
- 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法
- 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于...
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗吴金良张汉
- 文献传递
- 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
- 2010年
- 采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.
- 黄添懋陈诺夫张兴旺白一鸣尹志岗施辉伟张汉汪宇王彦硕杨晓丽
- 关键词：多晶硅薄膜
- 高压GaAs微型太阳电池阵列的制备
- 2011年
- 为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。
- 白一鸣陈诺夫王彦硕王俊黄添懋汪宇张兴旺尹志刚张汉吴金良姚建曦
- 关键词：GAAS太阳电池漏电流互连结构
- 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法
- 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半...
- 尹志岗张兴旺吴金良付振张汉
