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张培文

作品数：40 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 12篇纳米
  • 10篇电池
  • 10篇光刻
  • 9篇太阳能电池
  • 8篇电极
  • 7篇金属
  • 7篇刻蚀
  • 7篇扩散炉
  • 6篇纳米晶
  • 6篇硅电池
  • 6篇存储器
  • 5篇硅太阳能电池
  • 4篇电子束光刻
  • 4篇图形化
  • 4篇牺牲层
  • 4篇脉冲
  • 4篇纳米级
  • 4篇硅
  • 3篇电池正极
  • 3篇氧化物

机构

  • 40篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 40篇张培文
  • 37篇刘明
  • 20篇刘宇
  • 17篇谢常青
  • 16篇路程
  • 16篇赵盛杰
  • 13篇张凯平
  • 12篇李维龙
  • 12篇陈晨
  • 12篇贾锐
  • 12篇朱晨昕
  • 11篇胡媛
  • 10篇刘琦
  • 8篇李昊峰
  • 6篇叶甜春
  • 6篇牛洁斌
  • 6篇刘新宇
  • 5篇李泠
  • 4篇李冬梅
  • 4篇梁圣法

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备双面PN结太阳能电池的方法
本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基...
贾锐朱晨昕陈晨李维龙张培文李昊峰赵盛杰刘明
基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种制备基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构，并将晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；混合硅颗粒与半导体氧化物颗粒，通过电子束蒸发至晶硅基板上，形成...
贾锐李维龙朱晨昕陈晨张培文刘明刘新宇叶甜春
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RRAM的3D垂直堆积集成结构及其集成方法
本发明提供一种RRAM的3D垂直堆积集成结构及其集成方法，其中，该RRAM的3D垂直堆积集成结构包括：半导体衬底；第一隔离层，设置在半导体衬底上；堆叠结构，设置在第一隔离层上，堆叠结构包括多层第一电极和多层第二隔离层，第...
刘琦吴祖恒时拓汪泳州刘宇张培文刘明
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一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应...
刘宇刘明胡媛赵盛杰路程张培文张凯平
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一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法
本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采...
李冬梅陈鑫梁圣法牛洁斌张培文刘宇李小静詹爽张浩罗庆谢常青刘明
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一种单电子存储器的制备方法
本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图形和导电沟道，通过光...
贾锐李维龙陈晨朱晨昕李昊峰张培文刘明
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无外磁场定向自旋翻转的SOT-MRAM及阵列
一种无外磁场定向自旋翻转的SOT‑MRAM及阵列。SOT‑MRAM自上往下依次包括：选通器(1)，在外加电压的作用下接通或断开SOT‑MRAM；磁隧道结(2)，自上往下依次包括铁磁参考层(201)、隧穿层(202)和铁磁...
邢国忠林淮刘宇张培文谢常青李泠刘明
非易失性存储方法及装置
本公开提出了一种非易失性存储方法及装置；其中，该非易失性存储方法，包括：将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元；以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度，由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转...
刘琦赵晓龙吴祖恒刘宇张凯平路程张培文赵盛杰姚志宏余兆安吕杭炳刘明
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硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列；...
陈晨贾锐朱晨昕李维龙李昊峰张培文赵盛杰刘明
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一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法
本发明公开一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，用于在信息处理过程中，实现一次性对信号进行多级处理。所述三维半导体器件，包括：衬底及由下至上依次形成在衬底上的滤波结构、卷积结构及脉冲输出...
刘琦汪泳州吴祖恒时拓刘宇张培文刘明
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