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宋蕊
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7
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
曹则贤
中国科学院物理研究所
马利波
中国科学院物理研究所
关东仪
中国科学院物理研究所
王永谦
中国科学院物理研究所
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作者
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宋蕊
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曹则贤
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马利波
2篇
王永谦
2篇
关东仪
年份
1篇
2009
2篇
2008
1篇
2007
3篇
2005
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7
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤
王永谦
马利波
宋蕊
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤
王永谦
马利波
宋蕊
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低温非晶/纳晶硅薄膜生长及其晶化研究
低温制备非晶、纳晶硅和多晶硅薄膜对于光电器件集成和大面积微电子器件成本降低方面有重要意义。本论文工作的主要内容和结论如下: 1.采用脉冲电子束沉积制备出无氢a-Si和SiC薄膜。脉冲电子束沉积(PED)技术可以弥补...
宋蕊
关键词:
非晶硅薄膜
多晶硅薄膜
铝诱导晶化
制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤
马利波
宋蕊
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具有高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的复合薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有超高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的Ag:SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>复合薄膜,薄膜制备在脉冲激光沉积系统下进行,激光束经焦距...
宋蕊
关东仪
曹则贤
文献传递
制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤
马利波
宋蕊
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具有超高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的复合薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有超高三阶非线性极化率χ<Sup> (3)</Sup>的Ag∶SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>复合薄膜,薄膜制备在脉冲激光沉积系统下进行,激光束经焦...
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关东仪
曹则贤
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